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표면 상에 텍스처가 다수 형성되도록 유리기판을 표면 텍스처링하는 단계(단계 1);상기 유리기판의 상면에 전면 투명전도성 산화막층을 형성하는 단계(단계 2);상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p-i-n 구조의 박막 적층체를 형성하는 단계(단계 3);상기 p-i-n 구조의 박막 적층체의 상면에 후면 투명전도성 산화막층을 형성하는 단계(단계 4); 및상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면과 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 후면전극층을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하며,상기 단계 1에서는 유리기판을 증류수:불산=10:3~10:7의 몰비로 혼합된 용액에 30분 내지 120분 동안 침지시킨 후, 회수하여 증류수를 이용하여 세척함으로써 표면 텍스처링하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 단계 2에서 표면 텍스처링된 유리기판의 상면에 알루미늄이 0
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청구항 13에 있어서,상기 단계 3에서 상기 전면 투명전도성 산화막층의 일부면에 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층을 순차적으로 증착시켜 p-i-n 구조의 박막 적층체를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 p형 반도체층은 SiH4, H2, B2H6를 주입하여 PECVD에 의해 10∼15 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 i형 반도체층은 SiH4, H2를 주입하여 PECVD에 의해 300∼400 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 n형 반도체층은 SiH4, H2, PH3을 가스 주입하여 PECVD에 의해 20∼25 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 후면 투명전도성 산화막층은 pin 구조의 박막 적층체의 상면에 알루미늄 산화아연(AZO) 또는 인듐 산화주석(ITO)을 80∼160 nm의 두께로 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 후면전극은 상기 후면 투명전도성 산화막층의 상면 및 전면 투명전도성 산화막층의 상면에 알루미늄 혹은 은을 열증착기로 도포하거나 페이스트를 이용하여 스크린 프린팅법으로 100~200 ℃의 저온에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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