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판상형 또는 선형의 인듐 복합체 나노 물질

  • 기술번호 : KST2014053879
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 판상형 또는 선형의 인듐 복합체 나노 물질에 관한 것으로, 보다 구체적으로 1 nm 이하의 판 두께를 가지며, 20 내지 70 nm의 크기를 갖는 육각 판상형의 인듐 복합체 나노물질 및 이의 제조방법, 및 이를 이용한 판상형 또는 선형의 박막에 관한 것이다.본 발명의 인듐 복합체 나노물질은 용이하게 제조될 수 있을 뿐만 아니라, 나노입자 수준의 크기와 1 nm 이하의 두께를 갖는 육각 판상형의 나노입자 구조를 갖기 때문에, 자기조립화에 의한 판상형 또는 선형의 박막을 용이하게 제조할 수 있으며, 그 특이적인 나노입자의 형태로 인해 다양한 디바이스로의 응용이 가능하다.
Int. CL C01B 17/00 (2006.01) C01B 19/00 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060057643 (2006.06.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1305554-0000 (2013.09.02)
공개번호/일자 10-2007-0122281 (2007.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손성욱 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 박강현 대한민국 경상북도 경주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 *** (서소문동, 대한항공빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0454041-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0316407-18
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0316406-73
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021669-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0070430-35
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0128524-68
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0359969-76
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0359971-68
14 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0585013-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 계면활성제에 인듐염과, 황 분말 또는 셀레늄 분말을 혼합시키는 단계(단계 1); 및 상기 혼합물을 가열시켜 육각판상형의 인듐 복합체 나노물질을 수득하는 단계(단계 2)를 포함하는 육각판상형의 인듐 복합체 나노물질을 제조하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 인듐염이 인듐할라이드인 것을 특징으로 하는 육각판상형의 인듐 복합체 나노물질을 제조하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 단계 1에서 인듐염과 황 분말의 함량비가 2:3의 당량비를 갖으며, 인듐염과 셀레늄 분말의 함량비가 2:3 또는 1:1의 당량비를 갖음을 특징으로 하는 육각판상형의 인듐 복합체 나노물질을 제조하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 유기 계면활성제가 올레일아민, 알킬아민(CnH2n+1NH2, 여기서 n은 4 내지 18의 정수임) 또는 라우르산(lauric acid)인 것을 특징으로 하는 육각판상형의 인듐 복합체 나노물질을 제조하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 유기 계면활성제 중의 인듐염의 농도가 0
6 6
제 1항에 있어서, 단계 2의 가열온도는 215℃이며, 가열시간이 1시간인 것을 특징으로 하는 육각판상형의 인듐 복합체 나노물질을 제조하는 방법
7 7
1 nm 이하의 판 두께를 가지며, 20 내지 70 nm의 입자 크기를 갖는 육각 판상형의 인듐 복합체 나노물질로서, 상기 인듐 복합체가 β-In2S3로 표시되는 황화인듐, 또는 InSe 또는 In2Se3로 표시되는 인듐 셀레나이드임을 특징으로 하는 육각 판상형의 인듐 복합체 나노물질
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 7항의 인듐 복합체 나노물질을 기재 상에 드롭-캐스팅(drop-casting)에 의해 자기조립시켜 평행하게 나열된 판상형으로 코팅되거나, 직립하게 나열된 선형으로 코팅되거나, 둘모두가 혼합하여 코팅된 코팅층을 형성하는 인듐 복합체 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.