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그래핀 시트의 직접 전사 방법
- 기술번호 : KST2014053896
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 그래핀 성장용 촉매층 상에 형성된 그래핀 시트 상에 기재를 형성하여 그래핀 성장용 촉매층/그래핀 시트/기재를 포함하는 적층체를 형성하는 단계; 및, 상기 적층체를 전해액에 침지하고 전압을 인가함으로써 수행되는 전해 반응을 이용하여 상기 그래핀 성장용 촉매층과 상기 그래핀 시트를 분리시켜 그래핀 시트/기재의 적층체를 형성하는 단계를 포함하는, 그래핀 시트의 직접 전사 방법에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | B32B 9/00 (2006.01) B01J 31/02 (2006.01) B32B 38/14 (2006.01) B41M 5/00 (2006.01) |
| CPC | B32B 38/08(2013.01) B32B 38/08(2013.01) B32B 38/08(2013.01) B32B 38/08(2013.01) B32B 38/08(2013.01) B32B 38/08(2013.01) B32B 38/08(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120064814 (2012.06.18) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1320407-0000 (2013.10.15) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20131023) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.06.18) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안종현 | 대한민국 | 경기 수원시 장안구 |
| 2 | 이영빈 | 대한민국 | 경기 평택시 세교공원로 **, |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0480787-34 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 3 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.10.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0705372-48 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 그래핀 성장용 촉매층 상에 형성된 그래핀 시트 상에 기재를 형성하여 그래핀 성장용 촉매층/그래핀 시트/기재를 포함하는 적층체를 형성하는 단계; 및,상기 적층체를 전해액에 침지하고 전압을 인가함으로써 수행되는 전해 반응을 이용하여 상기 그래핀 성장용 촉매층과 상기 그래핀 시트를 분리시켜 그래핀 시트/기재의 적층체를 형성하는 단계를 포함하는,그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 성장용 촉매층은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, Ru, Ir, 황동(brass), 청동(bronze), 백동, 스테인리스 스틸(stainless steel), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 성장용 촉매층의 두께는 1 nm 내지 1000 nm인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 성장용 촉매층은 패터닝된 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트의 직접 전사 방법은, 상기 그래핀 시트/기재의 적층체를 형성하는 단계에서 분리된 상기 그래핀 성장용 촉매층을 재사용하여 수행하는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트는, 상기 그래핀 성장용 촉매층에 탄소 소스-함유 가스를 공급한 뒤 화학기상증착법(chemical vapor deposition method; CVD method)을 수행함으로써 형성되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 탄소 소스는 탄소수 1 내지 10인 탄소-함유 화합물을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 8 |
8 제 6 항에 있어서,상기 탄소 소스는 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부틸렌, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 펜틴, 펜타디엔, 사이클로펜탄, 사이클로펜타디엔, 헥산, 헥센, 사이클로헥산, 사이클로헥사디엔, 벤젠, 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 9 |
9 제 6 항에 있어서,상기 탄소 소스-함유 가스와 함께 수소 가스를 공급하는 것을 포함하는, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 10 |
10 제 6 항에 있어서,상기 화학기상증착법의 수행 시간을 조절하여 상기 그래핀 시트의 두께를 조절하는 것을 포함하는, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 기재는 투명 기재, 플렉서블 기재, 또는 투명 플렉서블 기재를 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 기재는 유리 기재 또는 고분자 기재를 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 고분자 기재는 π-전자를 가지는 고분자 화합물을 함유하는 고분자 시트를 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트 상에 상기 기재를 형성하는 것은, 바 코팅, 와이어 바 코팅, 스핀 코팅, 딥 코팅, 마이크로 그라비아 코팅, 그라비아 코팅, 롤 코팅, 롤투롤 코팅, 침지 코팅, 분무 코팅, 캐스팅, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 또는 잉크젯 인쇄법을 이용하여 상기 그래핀 시트에 상기 기재를 부착함으로써 수행하는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트 상에 상기 기재를 형성하는 것은, 상기 그래핀 시트 상에 고분자 전구체를 도포한 후 상기 고분자 전구체를 중합함으로써 수행하는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 고분자 전구체는 폴리이미드, 폴리우레탄, PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PMMA(Polymethylmethacrylate), 에폭시, 또는 열경화성 폴리머의 전구체를 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 17 |
17 제 1 항에 있어서,상기 전해액은 Na2S2O8, 또는 K2S2O8을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 18 |
18 제 1 항에 있어서,상기 전압은 1 V 내지 10 V인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 19 |
19 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 성장용 촉매층과 상기 그래핀 시트를 분리시켜 상기 그래핀 시트/기재의 적층체를 형성하는 단계는 30 초 내지 5 분 동안 수행되는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 20 |
20 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트는 1 층 내지 300 층의 그래핀을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 21 |
21 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트는 종방향 및 횡방향의 길이가 각각 1 mm 내지 1 m인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 22 |
22 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 시트는 유기계 도펀트(dopant), 무기계 도펀트, 또는 이들의 조합을 포함하는 도펀트에 의하여 도핑된 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서,상기 도펀트는 NO2BF4, NOBF4, NO2SbF6, HCl, H2PO4, H3CCOOH, H2SO4, HNO3, PVDF(polyvinylidene fluoride), AuCl3, SOCl2, Br2, 디클로로디시아노퀴논, 옥손, 디미리스토일포스파티딜이노시톨, 트리플루오로메탄술폰이미드, 나피온, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 산학협력단 | 학제간융합분야(NCRC) 2단계2/3차년도(3/7년) | 형태변환 소자 구현을 위한 나노 소재 연구 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1320407-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120618 출원 번호 : 1020120064814 공고 연월일 : 20131023 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131014 청구범위의 항수 : 23 유별 : B32B 38/14 발명의 명칭 : 그래핀 시트의 직접 전사 방법 존속기간(예정)만료일 : 20181016 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2013년 10월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2017년 09월 29일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0480787-34 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 3 | 등록결정서 | 2013.10.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0705372-48 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014053896 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 그래핀 시트의 직접 전사 방법 |
| 기술개요 |
그래핀 성장용 촉매층 상에 형성된 그래핀 시트 상에 기재를 형성하여 그래핀 성장용 촉매층/그래핀 시트/기재를 포함하는 적층체를 형성하는 단계; 및, 상기 적층체를 전해액에 침지하고 전압을 인가함으로써 수행되는 전해 반응을 이용하여 상기 그래핀 성장용 촉매층과 상기 그래핀 시트를 분리시켜 그래핀 시트/기재의 적층체를 형성하는 단계를 포함하는, 그래핀 시트의 직접 전사 방법에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 화학공정 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345145908 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093247 |
| 연구과제명 | 형태변환 소자 구현을 위한 나노 소재 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201602 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345145908 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093247 |
| 연구과제명 | 형태변환 소자 구현을 위한 나노 소재 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201602 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345173828 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093248 |
| 연구과제명 | 형태변환형 소자 구현을 위한 공정 및 집적화 기술 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200909~201602 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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