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플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014053904
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로서, 강유전체층과 반도체층 사이의 계면에 고분자　접착층을 형성함으로써 계면에서의 전기적 특성 및 물리화학적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020130023041 (2013.03.04)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1315270-0000 (2013.09.30)
공개번호/일자 10-2013-0028770 (2013.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20131007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100062280   |   2010.06.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0062839 (2011.06.28)
관련 출원번호 1020110062839
심사청구여부/일자 Y (2013.03.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종현 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 노종현 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0190256-78
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0232102-77
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0497960-69
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0602067-43
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0602070-81
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0671314-79
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
삭제
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3 3
삭제
4 4
기판 상에 희생층을 형성하고;상기 희생층 상에 반도체 채널층을 형성하고;상기 반도체 채널층을 패터닝하고 도핑하여 양측에 소스 및 드레인 영역을 형성하고;상기 드레인 영역 상에 배리어층을 형성하고;상기 배리어층 상에 강유전체층을 형성하고;상기 배리어층 및 상기 강유전체층을 패터닝하고;상기 강유전체층 상에 보호층을 형성하고;상기 희생층을 에칭하여 제거한 후 상기 반도체 채널층, 상기 배리어층 및 상기 강유전체층을 플렉서블 기판 상으로 전사하고 상기 보호층을 제거하고;상기 반도체 채널층 및 상기 강유전체층 상에 게이트 유전층을 형성하고; 및상기 소스영역 및 상기 소스영역 상에 형성된 게이트 유전층 상에 제 1 전극을 형성하고, 상기 소스영역 및 상기 드레인 영역 이외의 부분에 형성된 게이트 유전체 상에 제 2 전극을 형성하고, 상기 드레인 영역 상에 형성된 강유전체층 및 게이트 유전체 상에 제 3 전극을 각각 형성하는 것:을 포함하는, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 배리어층은 Pt, Ir, Ru, Rh, SrO, PdO, Ir 산화물, Ru 산화물, Rh 산화물, Os 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 강유전체층은 진공증착법 또는 졸-겔(sol-gel) 방법에 의해 형성되는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 보호층은 포토레지스트를 포함하는 것인, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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1 KR101256632 KR 대한민국 FAMILY
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4 US08729614 US 미국 FAMILY
5 US20110316059 US 미국 FAMILY

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1 KR101256632 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR101315187 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 KR20120001657 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
4 KR20130028769 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
5 KR20130028957 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
6 US2011316059 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8729614 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 정부)지경부-산업기술평가관리원-산업원천기술 산업원천기술개발사업(3세부과제 참여기관) 멀티스케일 소자/패턴 전사공정 및 모듈화 기술 개발