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단백질 기반의 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019023185
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 2개의 전극들; 및 전극들 중 어느 하나의 전극에 전압이 인가되는 경우에 활성 전극물질과 킬레이팅하여 전도성 필라멘트를 형성하는 아미노산을 포함하고, 전도성 필라멘트의 형성을 통해 저항 상태가 변화되는 단백질 스위칭층을 포함한다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01)
출원번호/일자 1020170121355 (2017.09.20)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1962030-0000 (2019.03.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190717) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.20)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성주 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최우석 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 장성규 대한민국 경기도 부천시 장말로 ,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0919131-62
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0270837-79
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0600364-35
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0600365-81
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0735483-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1316113-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1316112-31
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0190107-48
9 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5019378-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
2개의 전극들; 및상기 전극들 중 어느 하나의 전극에 전압이 인가되는 경우에 활성 금속의 이온과 킬레이팅하여 전도성 필라멘트를 형성하는 아미노산을 포함하고, 상기 전도성 필라멘트의 형성을 통해 저항 상태가 변화되는 단백질 스위칭층을 포함하되,상기 활성 금속은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co) 및 아연(Zn)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 활성 금속은 상기 단백질 스위칭층 내부에 도핑되거나 상기 2개의 전극들 중 적어도 어느 하나로부터 상기 단백질 스위칭층층의 내부로 제공되는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 단백질 스위칭층은His, Cys, Asp, Lys 및 Glu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 단백질을 포함하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 단백질 스위칭층은DnaJ, 라이소자임(lysozyme), 세리신(Sericin), 피브로인(Fibroin), BSA(Bandeiraea simplicifolia agglutinin), 젤라틴(Gelatin), 페리틴(Ferritin) 및 DnaK 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 2개의 전극들 중 제1 전극은 접지되고, 제2 전극에 양의 전압이 인가되는 경우에 높은 저항상태에서 낮은 저항상태로 변화하여 유지되고,상기 제2 전극에 음의 전압을 인가하는 경우 다시 낮은 저항상태에서 높은 전압상태로 변화하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 2개의 전극들 중 제1 전극은 접지되고,제2 전극이 활성 금속으로 형성되어 상기 제2 전극에 양의 전압이 인가된 경우, 상기 제2 전극의 활성 금속의 이온이 상기 단백질 스위칭층으로 주입되어 전도성 필라멘트를 형성하여 높은 저항상태에서 낮은 저항상태로 변화하여 유지되고,상기 제2 전극에 음의 전압을 인가하는 경우 다시 낮은 저항상태에서 높은 전압상태로 변화하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 2개의 전극들 중 제1 전극은 접지되고,상기 단백질 스위칭층층에 제1 활성 금속이 도핑되고,제2 전극은 상기 제1 활성 금속의 이온보다 상기 단백질 스위칭층에 포함된 아미노산과의 킬레이트 정도가 낮은 제2 활성 금속으로 형성되어 상기 제2 전극에 양의 제1 전압이 인가된 경우, 상기 제1 활성 금속의 이온이 먼저 킬레이팅되어 제1 전도성 필라멘트를 형성하여 중간 저항상태로 변화하고,상기 제2 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가된 경우 상기 제2 활성 금속의 이온이 킬레이트되어 제2 전도성 필라멘트를 형성하여 낮은 저항상태가 되어 유지되며,상기 제2 전극에 음의 전압을 인가하는 경우 다시 낮은 저항상태에서 높은 전압상태로 변화하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 단백질 스위칭층을 형성할 때 이용된 단백질 용액의 pH에 따라, 전압 인가 시에 형성되는 전도성 필라멘트의 크기가 달라지는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 단백질 스위칭층층이 16개의 히스티딘(His)을 포함하는 재조합 샤프론 rDnaJ을 포함하는 경우, 상기 단백질 스위칭층을 형성할 때 이용된 단백질 용액의 pH는 적어도 6 이상인 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자
11 11
적어도 1개의 전극이 형성된 베이스 기재 상에, 전압이 인가되는 경우에 활성 금속의 이온과 킬레이팅하여 전도성 필라멘트를 형성하는 아미노산을 갖는 단백질을 포함하는 단백질 용액을 이용하여 단백질 스위칭층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 활성 금속은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co) 및 아연(Zn)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 활성 금속은 상기 단백질 스위칭층 내부에 도핑되거나 상기 전극으로부터 상기 단백질 스위칭층층의 내부로 제공되는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 단백질 용액의 pH를 조절하여 전압 인가시에 상기 단백질 스위칭층에서 형성되는 도전성 필라멘트의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 단백질 스위칭층을 형성하는 단계는 상기 단백질 용액을 이용한 열 변성법(thermal denaturation method)으로 수행하는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 단백질 용액은상기 단백질에 포함된 아미노산의 산 해리 상수와 동일하거나 이보다 높은 pH를 갖는 것을 특징으로 하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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2 US2019097130 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 성균관대학교 기초연구실지원사업 비선형 부성저항 특성 기반 한계극복 ICT정보처리 소자 개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 기본연구지원사업 이차원 나노소재 (Graphene, h-BN, MoS2)와 Interlayer Band Tunneling을 이용한 차세대 극소전력/저전압 Tunneling transistor 개발
3 미래창조과학부 성균관대학교 선행공정·플랫폼기술연구개발사업 M3D 집적 초절전 아키텍처 구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발(Atomic Switch)
4 미래창조과학부 성균관대학교 개인기초연구(미래부) 밀도와 간격이 제어된 펩타이드 결정핵을 함유하는 디자이너 생물분자주형을 이용한 가시광 감응형 금속산화물나노복합(MONC) 광촉매 생광물화 및 소재 특성 제어
5 미래창조과학부 광주과학기술원 글로벌프론티어사업 인공 두뇌급 고성능 소자 구현을 위한 3D 집적 반도체소재 원천기술 개발
6 미래창조과학부 세종대학교 미래유망융합기술파이오니어 사업 유해감성의 선택적 미세제어를 위한 나노공정 기반 생체삽입형 집적소자 개발