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플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법

  • 기술번호 : KST2014054376
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 관한 것으로, 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법에 있어서, 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계 및 상기 버퍼막 상에 실리콘과 수소의 각각을 함유하는 가스를 이용한 플라즈마 증착 기술로 나노결정 실리콘막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기와 같은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 의해, 종래기술에서와 같은 후처리 공정을 수행하지 않고 플라즈마 기상 증착법으로 유리기판 상에 나노결정 실리콘막을 직접 증착함으로써 비휘발성 메모리 소자의 제조공정을 줄여 제조단가를 낮출 수 있다. 비휘발성 메모리 소자, 나노결정, 실리콘, 플라즈마, 평판형 디스플레이
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)H01L 21/02436(2013.01)
출원번호/일자 1020080128316 (2008.12.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1062998-0000 (2011.08.31)
공개번호/일자 10-2010-0069790 (2010.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울 서초구
2 최병덕 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 정성욱 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 장경수 대한민국 서울 서대문구
5 조재현 대한민국 경상북도 경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0865927-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058306-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0464805-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0831301-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0831292-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293611-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법에 있어서, 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계; 상기 버퍼막 상에 실리콘과 수소의 각각을 함유하는 가스를 이용한 플라즈마 증착 기술로 나노결정 실리콘막을 형성하는 단계; 및 상기 나노결정 실리콘막의 표면에 아산화질소(N2O) 가스 1
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노결정 실리콘막은 실란(SiH4) 가스 1sccm 내지 10sccm 및 수소(H2) 가스 90sccm 내지 99sccm에서 형성되는 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 나노결정 실리콘막은 40nm 내지 60nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 나노결정 실리콘막은 PECVD(Plasma Enhanced Chemcial Vapor Deposition) 또는 ICP-CVD(Inductively coupled plasma CVD) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 나노결정 실리콘막은 250℃ 내지 350℃의 온도범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 산질화막은 2
9 9
제 1 항 내지 제 5 항, 제8항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법으로 형성된 나노결정 실리콘막 구조체
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11 11
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14 14
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08110485 US 미국 FAMILY
2 US20100148181 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010148181 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8110485 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.