요약 | 본원은 프리즘의 일면에 금속성 탄소나노구조체 층이 증착되어 있는 프리즘을 포함하는, 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | B82B 1/00 (2006.01) G01N 21/27 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
CPC | G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110058932 (2011.06.17) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1297325-0000 (2013.08.09) |
공개번호/일자 | 10-2011-0138186 (2011.12.26) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130816) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020100058203 | 2010.06.18
|
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.06.17) |
심사청구항수 | 18 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김태성 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
2 | 홍병희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
3 | 최재붕 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
4 | 김영진 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
5 | 쿨르카르니 아뚤 | 인도 | 경기도 수원시 장안구 |
6 | 김형근 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
7 | 김장아 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0459380-38 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0567426-87 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.11.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0967680-92 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0967679-45 |
8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.02.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0120682-87 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0349074-49 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0349073-04 |
11 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0638849-17 |
12 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0549681-25 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 빛을 조사하는 광원부;프리즘의 일면에 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 그래핀 층이 형성되어 있는 프리즘을 포함하는 센싱부;상기 프리즘에서 반사되어 나오는 빛을 수집하는 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 프리즘은 유리, 플라스틱 및 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 프리즘은 다각형 또는 반원통형을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
5 |
5 제 3 항에 있어서,상기 유리는 BK7 또는 SF11인 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
6 |
6 제 3 항에 있어서,상기 플라스틱은 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 환형올레핀 공중합체(Cyclic Olefin Copolymer, COC) 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
7 |
7 제 3 항에 있어서,상기 고분자는, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스틸렌(polystyrene) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 그래핀 층의 두께는 1 nm 내지 200 nm 인 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 층은 단일층 또는 복수층인 것을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 광원부의 광원은 단파장 또는 다중파장을 가지는 광이 조사되는 TM 또는 P-편광된 단색 광원, 백색 광원, 레이져 및 발광 다이오드(LED) 중 어느 하나인 것을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 수광부는 그 수광면에 포토다이오드, 광 증폭기, 감광용지, 및 CCD 또는 CMOS인 이미지센서를 포함하는 수광소자 중 어느 하나를 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 표면 플라즈몬 공명 센서는 화학 또는 바이오 물질을 감지하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 프리즘의 일면에 그래핀 층에 추가하여 금속 층이 형성되어 있는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서 |
14 |
14 프리즘의 일면에 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 그래핀 층을 형성하여 센싱부를 형성하고;상기 프리즘을 포함하는 센싱부를 광원부 및 수광부 사이에 위치시키는 것 을 포함하는, 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조 방법 |
15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 센싱부를 형성하는 것은,그래핀 층을 형성하고;증류수 표면에 상기 그래핀 층을 부유시키고;상기 부유된 그래핀 층을 프리즘의 일면과 접촉시켜 상기 그래핀 층을 상기 프리즘의 일면에 전사하는 것을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조 방법 |
16 |
16 제 14 항에 있어서,상기 센싱부를 형성하는 것은,그래핀 층을 형성하고;상기 그래핀 층을 스탬퍼(stamper)에 접촉시켜 전사시키고;상기 스탬퍼 상에 전사된 그래핀 층을 프리즘의 일면에 가압하여 상기 그래핀 층을 상기 프리즘의 일면에 전사하는 것을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조 방법 |
17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 센싱부를 형성하는 것은, 스프레이 방법으로 프리즘의 일면에 그래핀 층을 형성하는 것을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조 방법 |
18 |
18 삭제 |
19 |
19 제 14 항에 있어서, 상기 그래핀 층으로서 화학증기증착법에 의하여 면적 및 두께가 제어되어 형성된 그래핀 층을 사용하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조 방법 |
20 |
20 제 14 항에 있어서,상기 그래핀 층을 형성하는 것을 복수회 반복하여 복수층의 그래핀 층을 형성하는 것을 포함하는 것인, 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1297325-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110617 출원 번호 : 1020110058932 공고 연월일 : 20130816 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130808 청구범위의 항수 : 18 유별 : G01N 21/27 발명의 명칭 : 금속성 탄소나노구조체 층이 형성된 프리즘을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180810 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 373,500 원 | 2013년 08월 12일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2016년 06월 07일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2017년 07월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0459380-38 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
5 | 의견제출통지서 | 2012.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0567426-87 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.11.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0967680-92 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0967679-45 |
8 | 의견제출통지서 | 2013.02.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0120682-87 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0349074-49 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0349073-04 |
11 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0638849-17 |
12 | 등록결정서 | 2013.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0549681-25 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술번호 | KST2014056693 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 성균관대학교 |
기술명 | 금속성 탄소나노구조체 층이 형성된 프리즘을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그의 제조 방법 |
기술개요 |
본원은 프리즘의 일면에 금속성 탄소나노구조체 층이 증착되어 있는 프리즘을 포함하는, 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 화학공정 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345199138 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0083540 |
연구과제명 | 나노소재기반 휴먼인터페이스 융합 연구센터 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345145908 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093247 |
연구과제명 | 형태변환 소자 구현을 위한 나노 소재 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345146067 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093248 |
연구과제명 | 형태변환형 소자 구현을 위한 공정 및 집적화 기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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