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상온에서 자성을 띄는 원소들을 포함하는 원료물질을 혼합하여 용융하는 제1단계;상기 용융된 원료물질을 급속 응고하여 기지상과 기지상 내에 구형으로 석출된 석출상으로 구분되는 2상분리 비정질 금속을 제조하는 제2단계;상기 2상분리 비정질 금속을 상기 석출상의 크기 분포에 따라 분리하는 제3단계; 및상기 분리된 2상분리 비정질 금속의 기지상만을 선택적으로 용해하여 비정질 금속 분말을 제조하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제2단계가 멜트 스피닝법으로 수행되고,상기 제3단계가 2상분리 비정질 금속을 두께방향으로 상부와 하부로 분리하여 수행되며,상기 제4단계가 상기 두께방향으로 분리된 2상분리 비정질 금속의 하부에 대하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 2상분리 비정질 금속이 화학식 (Y,Gd)xTi100-(x+y+z)Aly(Co,Ni)z로 표시되고, 상기 식 중에서 x, y, z는 원자%로 각각 20≤x≤40, 20≤y≤30, 15≤z≤25인 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 2상분리 비정질 금속이 화학식 Zrp(Nd,Pr,Ce,La,Gd,Y)100-(p+q+r) Alq(Co,Ni)r로 표시되고, 상기 식 중에서 p, q, r은 원자%로 각각 5≤p≤30, 5≤q≤15, 25≤r≤35인 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 2상분리 비정질 금속이 화학식 NisNb50-s/2Y50-s/2로 표시되고, 상기 식 중에서 s는 원자%로 50≤s≤70인 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 2상분리 비정질 금속이 화학식 [(Fe,Co)iSijB100-i-j]kCu100-k로 표시되고, 상기 식 중에서 i, j, k는 원자%로 각각 70≤i≤80, 5≤j≤15, 10≤k≤50인 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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7
청구항 3 내지 청구항 6 중 한 항에 있어서,상기 제4단계에서, 상기 기지상만을 선택적으로 용해하는 방법이 HNO3용액에 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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8
청구항 7에 있어서,상기 HNO3용액의 농도가 0
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9
청구항 7에 있어서,상기 제4단계가 HNO3용액에 침지한 상태에서 초음파를 인가하는 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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10
청구항 7에 있어서,상기 제4단계가 HNO3용액에 침지한 상태에서 가열하는 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더 제조방법
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11
청구항 1 내지 청구항 6의 방법 중에 하나의 방법으로 제조된 자성 비정질 금속 나노 파우더로서, 상기 비정질 금속 분말이 상온에서 자성을 띄는 원소들을 포함하는 2상분리 비정질 금속의 구형 석출상만으로 구성되고, 상기 구형 석출상은 2상분리과정에서 형성된 쉘(shell) 구조 또는 야드(yard) 구조를 가지며,상기 비정질 금속 분말 내부에 위치하는 자성원소의 조성적인 불균일에 의해서 자성 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 자성 비정질 금속 나노 파우더
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