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(1) 환원 반응을 위한 가열존을 갖는 수직형의 반응기를 준비하는 단계;(2) 상기 가열존에 금속 전구체 증기 및 수소 가스를 공급하는 단계;(3) 상기 금속 전구체 증기를 상기 수소 가스와 400~1300℃ 온도에서 환원 반응시켜 금속 핵을 생성하는 단계; 및(4) 상기 금속 핵을 금속 미세입자로 성장시켜 반응기 외부로 배출하는 단계를 포함하되,상기 금속 전구체, 금속 핵 및 금속 미세입자가 철(Fe), 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 전구체, 핵 및 미세입자이고, 상기 가열존 내에는 등온 구간이 존재하고, 상기 환원 반응 및 금속 미세입자의 배출이 상기 등온 구간 내에서 수행되고,상기 반응기가 내부에 금속 전구체 증발을 위한 가열존을 추가로 구비하고,상기 금속 전구체 증발을 위한 가열존이 튜브에 의해 둘러싸여 있으며, 상기 튜브가 상부에 홀을 구비하고, 상기 홀이 상기 등온 구간 내에 위치하여, 상기 튜브 내에서 금속 전구체가 증발되어 생성된 증기가 상기 홀을 통해 상기 등온 구간에 공급되는 것을 특징으로 하는, 철(Fe), 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 수소 가스가 상기 수직형 반응기의 상부 끝단에 주입되어 상기 가열존에 공급되는 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 수직형 반응기가 상부 끝단으로부터 상기 가열존 내의 등온 구간까지 상기 주입된 수소 가스로 채워지는 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 금속 전구체 증기가 불활성 가스에 의해 운송되어 상기 가열존에 공급되고, 상기 불활성 가스가 상기 수직형 반응기의 하부 끝단의 튜브 내부로 주입되어 상기 가열존에 공급되는 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 등온 구간이 ±20℃ 이내의 온도 편차를 갖는 연속 구간인 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 가열존이 수직형의 히터를 구비하고,상기 등온 구간이 상기 히터의 높이(h)에 대해 아래로부터 1/4 내지 3/4에 해당하는 높이(1/4~3/4h) 내에 존재하는 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 등온 구간이 상기 히터의 높이(h)에 대해 아래로부터 1/4 내지 2/4에 해당하는 높이(1/4~2/4h) 내에 존재하는 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응기가 상부 끝단에 제 1 수소 가스 주입관을 구비하고, 하부 끝단에 불활성 가스 주입관 및 제 2 수소 가스 주입관을 구비하며,상기 제 1 수소 가스 주입관 및 상기 제 2 수소 가스 주입관에 의해 상기 튜브 외부로 수소 가스가 주입되고, 상기 불활성 가스 주입관에 의해 상기 튜브 내부로 불활성 가스가 주입되어, 상기 수소 가스 및 불활성 가스가 상기 등온 구간에 공급되는 것을 특징으로 하는, 단분산 금속 미세입자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 단분산 금속 미세입자가 10nm 내지 400nm의 평균 크기를 갖고, 1
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