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(1) 환원 반응을 위한 가열존을 갖는 반응기를 준비하는 단계;(2) 상기 가열존에 금속 전구체 증기 및 수소 가스를 공급하는 단계;(3) 상기 금속 전구체 증기를 상기 수소 가스와 400~1300℃ 온도에서 환원 반응시켜 금속 핵을 생성하는 단계; 및(4) 상기 금속 핵을 금속 미세입자로 성장시켜 반응기 외부로 배출하는 단계를 포함하되,상기 금속 전구체, 금속 핵 및 금속 미세입자가 철(Fe), 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 전구체, 핵 및 미세입자이고,상기 환원 반응의 속도를 조절하여 상기 금속 미세입자의 형상을 육면체, 구, 또는 잘린 팔면체로 제어하고,상기 환원 반응이, 상기 가열존의 체적을 VR(cm3), 상기 금속 전구체 증기가 상기 가열존에 공급되는 유속을 FR(sccm), 및 상기 환원 반응의 온도를 RT(℃)라 할 때,i) 0 003c# FR/VR 003c# 1/636 이거나, 또는ii) 1/636 ≤ FR/VR 및 하기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 철(Fe), 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V) 및 티탄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 미세입자의 형상 제어 방법:003c#수학식 1003e#X/636 003c# [RT/VR] - 25 x [FR/VR] 003c# Y/636상기 수학식 1에서, X = 600 및 Y = 850 이거나, 또는X = 900 및 Y = 1500 이다
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제 1 항에 있어서,상기 환원 반응이2/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 650 ℃ 및 Y = 850 ℃ 이며,상기 금속 미세입자가 육면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 3 항에 있어서,상기 환원 반응이 3/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 700℃ 및 Y = 850℃ 이며,상기 금속 미세입자가 육면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 3 항에 있어서,상기 금속 미세입자가 정육면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원 반응이2/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 900℃ 및 Y = 1200℃ 이며,상기 금속 미세입자가 구 형상을 갖는 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 6 항에 있어서,상기 환원 반응이 2/636 ≤ FR/VR 및 상기 수학식 1을 만족하는 조건으로 수행되고,상기 수학식 1에서 X = 900℃ 및 Y = 1100℃ 이며,상기 금속 미세입자가 구 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원 반응이0
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제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체의 증기가 염화금속의 증기인 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 미세입자의 배출이 상기 가열존 내의 등온 구간에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 미세입자가 10nm 내지 400nm의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 금속 미세입자의 형상 제어 방법
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