맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법, 이에 따라 제조된 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 장치 및 능동구동센서 장치

  • 기술번호 : KST2014059368
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 제조 분야에 관한 것으로서, 증착 및 패터닝 공정을 통해 소스전극, 게이트전극 및 드레인전극을 동시에 형성하면서도 오프셋을 형성할 수 있게 되어, 제조공정에서 마스크의 수를 줄일 수 있는 효과를 거둘 수 있는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01)
출원번호/일자 1020110105114 (2011.10.14)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1273671-0000 (2013.06.04)
공개번호/일자 10-2013-0040386 (2013.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.14)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 강동한 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0803647-59
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0991137-95
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085001-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0727130-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0043644-76
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0043645-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0365952-33
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 산화물 반도체와 게이트 절연막을 순차 증착하는 증착단계; 상기 게이트 절연막을 패터닝하는 제1패터닝단계;상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제2패터닝단계;상기 게이트 절연막 및 상기 산화물 반도체상에 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 전극형성단계; 를 포함하되,상기 전극형성단계는,상기 게이트전극과 상기 소스전극 사이 및 상기 게이트전극과 상기 드레인전극 사이에 오프셋을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 산화물 반도체 박막 트랜랜지스터 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 전극형성단계는,상기 게이트 절연막 및 상기 산화물 반도체상에 금속을 증착하는 단계;상기 증착된 금속을 패터닝하여 상기 게이트 전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 오프셋의 길이는,1
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극형성단계 이후에,상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계;상기 패시베이션 층에 컨택홀을 형성하여 상기 드레인전극을 노출시키는 단계; 및상기 컨택홀에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 화소전극은,ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법
6 6
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,상기 증착단계 이전에,상기 기판상에 실리콘 산화 보호막을 증착하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성된 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
청구항 4에 있어서, 상기 패시베이션 층은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성된 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 비정질 인듐 갈륨 징크 옥사이드 (amorphous indium-gallium-zinc oxide, a-IGZO)로 형성된 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
10 10
기판상에 순차 증착된 산화물 반도체와 게이트 절연막, 패터닝된 게이트 절연막과 패터닝된 산화물 반도체 상에 형성되는 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하되, 상기 게이트전극과 상기 소스전극 사이 및 상기 게이트전극과 상기 드레인전극 사이에 오프셋이 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 포함하는 능동 구동 디스플레이 장치
11 11
기판상에 순차 증착된 산화물 반도체와 게이트 절연막, 패터닝된 게이트 절연막과 패터닝된 산화물 반도체 상에 형성되는 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하되, 상기 게이트전극과 상기 소스전극 사이 및 상기 게이트전극과 상기 드레인전극 사이에 오프셋이 형성되는 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 포함하는 능동 구동 센서 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발