맞춤기술찾기

이전대상기술

센터오프셋 구조를 구비한 역 스테거드형 다결정 실리콘박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166532
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 1) 기판상에 완충층을 형성하는 단계; 2) 상기 완충층 상에 게이트 전극을 센터 오프셋구조로 형성하는 단계; 3) 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 4) 상기 게이트 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계; 5) 상기 활성층 상에 오믹컨택층(ohmic contact layer)을 형성하는 단계; 6) 상기 오믹 컨택층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및 7) 상기 소스/드레인 전극 상에 보호막(passviation)을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 박막트랜지스터를 구성하는 게이트의 중앙에 오프셋 패턴을 형성하여, 활성층 채널 중앙에 오프셋 영역을 형성시킴으로써, 박막트랜지스터의 제조단계에서의 복잡한 공정을 단순화시키며, 누설전류를 현격하게 억제할 수 있는 박막트랜지스터를 제공하는 효과가 있다. 다결정 실리콘 박막트랜지스터, 역 스테거드 구조, 누설전류, 센터오프셋
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01)
출원번호/일자 1020080040800 (2008.04.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0114919 (2009.11.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.30)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장 진 대한민국 서울 서초구
2 오재환 대한민국 서울 동대문구
3 강동한 대한민국 서울 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0314519-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047194-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0002304-06
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0139115-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0214434-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0214443-58
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0340241-56
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0642766-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0722569-28
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0722565-46
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541848-63
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 기판상에 완충층을 형성하는 단계; 2) 상기 완충층 상에 게이트 전극을 센터 오프셋구조로 형성하는 단계; 3) 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 4) 상기 게이트 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계; 5) 상기 활성층 상에 n+ 비정질 실리콘 오믹컨택층(ohmic contact layer)을 증착하여 형성하는 단계; 6) 상기 n+ 비정질 실리콘 오믹컨택층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및 7) 상기 소스/드레인 전극 상에 보호막(passviation)을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 센터오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 5)단계는, n+에 비결정질 실리콘 박막을 직접 증착하여 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 센터오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 2)단계는 상기 게이트 전극의 패턴에 의해 형성된 상기 센터오프셋 구조의 길이를 0
4 4
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 3)단계는, 상기 게이트 절연막을 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 센터오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
5 5
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 활성층은 다결정 실리콘으로 형성되며, 상기 다결정 실리콘 내의 평균 금속 면밀도는 1012~1015/cm2 인 것을 특징으로 하는 센터오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 금속은 니켈인 것을 특징으로 하는 센터오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
7 7
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 활성층의 센터오프셋영역(X)은 불순물이 도핑되지 않는 것을 특징으로 하는 센터오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009134075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2009134075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2009134075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009134075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2009134075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2009134075 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.