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도핑을 이용한 산화막 저항변화 비휘발성 기억소자 특성향상

  • 기술번호 : KST2014059615
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 메모리 소자가 개시된다. 저항 메모리 소자는 제1 전극, 제1 전극 상부에 배치되고, 세륨이 도핑된 지르코니아 산화물 박막으로 이루어진 가변 저항층 및 가변 저항층 상부에 배치된 제2 전극을 구비할 수 있다. 이러한 저항 메모리 소자는 세륨이 도핑된 지르코니아 산화물 박막으로 이루어진 가변 저항층을 구비함으로써, 우수한 전류 균일성 및 스위칭 동작 신뢰성을 갖는다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120037158 (2012.04.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1356958-0000 (2014.01.20)
공개번호/일자 10-2013-0114824 (2013.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형섭 대한민국 서울 서초구
2 이명수 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0284870-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
4 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
7 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026007-12
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0372056-14
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0589861-27
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0589859-35
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0834257-98
18 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.12.30 수리 (Accepted) 7-1-2013-0051164-90
19 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.01.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0004900-46
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0004899-87
21 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0036340-18
22 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0279855-50
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극이 형성된 상기 기판 상에 세륨이 도핑된 지르코니아 산화물 박막으로 이루어진 가변 저항층을 형성하는 단계;상기 가변 저항층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 가변 저항층을 형성하는 단계는,질산 지르코닐 수화물(zirconyl nitrate hydrate)을 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol)과 아세트산(acetic acid)의 혼합 용액에 용해시킨 후 혼합 용액에 질산 세륨 수화물(cerium nitrate hexahydrate)을 첨가하여 코팅 용액을 준비하는 단계;상기 코팅 용액을 상기 제1 전극이 형성된 상기 기판 상에 도포하여 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 건조시키는 단계; 및상기 건조된 박막을 열처리하여 상기 박막을 결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 박막을 결정화시키기 위한 열처리는 300 내지 450℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 질산 세륨 수화물(cerium nitrate hexahydrate)은 10 내지 50 atomic%만큼 첨가되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.