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극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014059834
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크에 EUV광을 조사하여 반사되는 반사광을 통해 반사형 마스크의 결함 영역의 검출과 이에 이미징화를 인-시튜(in-situ)로 처리할 수 있는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크의 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 상기 장치 및 방법을 통해 높은 신뢰도로 마스크의 결함 영역 검출 및 이미징화를 인-시츄로 처리가 가능하여 차세대 노광기술인 극자외선 노광 공정시 사용하는 마스크의 생산성을 높일 수 있다.극자외선, 결함 검출, 해상도
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020090106310 (2009.11.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1272039-0000 (2013.05.31)
공개번호/일자 10-2011-0049336 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안진호 대한민국 서울특별시 강남구
2 정창영 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 이상설 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0680061-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0025966-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0176821-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0407740-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0407746-93
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702085-55
8 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.02.27 수리 (Accepted) 7-8-2012-0006236-18
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0351953-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반사형 마스크를 수용하기 위한 지지면을 구비한 스테이지;상기 스테이지의 수평 운동이 가능하도록 이의 하부에 위치한 X-Y 구동기;상기 반사형 마스크에 EUV광을 조사하기 위한 광원부;상기 반사형 마스크로부터 반사된 광을 수집하여 결함 영역을 검출하기 위한 결함 검출부; 및상기 결함 영역에 EUV광을 조사하여 반사된 광을 수집하여 상기 영역의 이미징 평가를 위한 결함 이미징부를 구비하며,상기 결함 검출부와 결함 이미징부는 동일 스테이지 구동축에 설치하여 X-Y 구동기에 의한 수평 운동을 통해 반사형 마스크의 결함 영역의 검출과 이 부분의 이미징화에 대한 처리를 동시에 수행하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 EUV광은 파장이 13
3 3
제1항에 있어서,상기 광원부는 EUV광을 방출하는 광원; 상기 EUV광의 광량을 조절하기 위한 셔터; 상기 셔터를 통과한 EUV광의 간섭 및 빔의 크기 조절을 위한 핀홀; 상기 핀홀을 통과한 EUV광 이외의 광을 선택적으로 제거하기 위한 지르코늄 필터; 및 상기 광원에서 방출되는 EUV광을 소정 경로를 따라 반사하기 위한 미러를 구비한 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 미러는 구면 미러 또는 평면 미러인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
5 5
제3항에 있어서,상기 미러는 Mo-Si 다층 박막 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 EUV광은 반사형 마스크에 법선에서 6° 기울어진 각도로 입사될 수 있도록 구성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 결함 검출부는 반사광을 수집하여 전기 신호로 변환하여 출력하는 반사도 측정기와 상기 전기 신호 정보를 통해 결함 영역을 검출하는 검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 반사도 측정기는 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 결함 이미징부는 광원부로부터 나오는 EUV광이 입사하기 위한 광원부재와, 반사광의 필드 스펙트럼을 수집하여 전기 신호로 변환하여 출력하는 이미징 장치, 및 상기 전기 신호 정보를 통해 결함 영역을 이미징화하는 연산 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 이미징 장치는 CCD(Charge Coupled Device)인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
반사형 마스크를 스테이지의 지지대에 로딩하고;광원부의 플라즈마 방전을 통해 EUV광을 발생시키고,EUV광을 상기 반사형 마스크의 전면에 걸쳐 조사하고,상기 반사형 마스크로부터 반사된 광을 수집하여 결함 검출부에서 반사형 마스크의 결함 영역을 검출하고,상기 반사형 마스크의 결함 영역에 국부적으로 EUV광을 조사하고,상기 반사형 마스크로부터 반사된 광을 수집하여 결함 이미징부에서 결함 영역을 이미징화하는 단계를 포함하여,상기 결함 영역 검출 및 이미징화를 동일 스테이지 내에서 수평 운동을 통해 구동하여 반사형 마스크의 결함 영역의 검출 및 이미징화를 동시에 처리할 수 있는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크의 결함을 검출하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산자부) 한양대학교 기술개발사업(산업기술개발사업) EUVL Test Bed 구축 및 평가기술 개발