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High Brightness Photonic Crystal LED

  • 기술번호 : KST2014065167
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 LED 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 구현예에 따른 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법은 기판에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계; 요철구조가 패턴된 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계; 상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가열하거나 또는 가열함과 동시에 자외선을 조사하여 경화된 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴된 몰드를 상기 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계;를 포함하며, 선택적으로 상기 금속 산화박막 패턴을 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 레지스트로 사용하기 위해 자외선 레진을 별도로 도포하는 공정이 생략될 수 있으므로 패턴 형성공정이 간소화되고, 단일 임프린트 공정으로 마이크로/나노 복합패턴을 형성할 수 있는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020100003109 (2010.01.13)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0974288-0000 (2010.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.13)
심사청구항수 37

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 대전광역시 유성구
2 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
3 김기돈 대한민국 서울특별시 송파구
4 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
5 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
6 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
7 이순원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0022040-69
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0093356-23
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.30 수리 (Accepted) 9-1-2010-0019520-55
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0194388-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계;요철구조가 패턴된 몰드를 준비하는 단계;상기 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계;상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가열하거나 또는 가열함과 동시에 자외선을 조사하여 경화된 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴된 몰드를 상기 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 패턴된 몰드를 준비하는 단계에서, 몰드에 패턴된 상기 요철구조는 서로 다른 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제거단계 이후에 실행되며, 상기 금속 산화박막 패턴을 소성하는 소성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계에서 가열온도는 30℃ 내지 350℃이며, 가열시간은 15초 내지 2시간인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계에서 자외선 조사시간은 1초 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체 용액은 금속에 유기물 리간드가 결합하여 합성된 금속-유기물 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속원소는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 류비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po), 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 유기물 리간드는 에틸헥사노네이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤즈알데하이드(2-nitrobenzaldehyde) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체는 헥산, 4-메틸-2-펜타논 (4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄 및 펜탄으로 이루어지는 군에서 선택된 용매에 용해되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 금속 산화박막 패턴
11 11
기판에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계;요철구조가 패턴된 몰드를 준비하는 단계;상기 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계;상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가열 또는 자외선 조사 중 어느 하나를 이용하여 경화된 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 패턴된 몰드를 상기 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계;를 포함하며, 상기 몰드에 패턴된 상기 요철구조는 서로 다른 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제거단계 이후에 실행되며, 상기 금속 산화박막 패턴을 소성하는 소성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계에서 가열온도는 30℃ 내지 350℃이며, 가열시간은 15초 내지 2시간인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계에서 자외선 조사시간은 1초 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체 용액은 금속에 유기물 리간드가 결합하여 합성된 금속-유기물 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속원소는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 류비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po), 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
17 17
제 15 항에 있어서,상기 유기물 리간드는 에틸헥사노네이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤즈알데하이드(2-nitrobenzaldehyde) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
18 18
제 15 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체는 헥산, 4-메틸-2-펜타논 (4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄 및 펜탄으로 이루어지는 군에서 선택된 용매에 용해되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법
19 19
제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 금속 산화박막 패턴
20 20
광결정(photonic crystal) 구조를 갖는 LED 소자의 제조방법에 있어서,기판 상에 상기 광결정 구조를 형성할 층에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계;상기 광결정 구조에 대응되는 요철구조를 가지도록 패턴된 몰드를 준비하는 단계;상기 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계;상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가열 또는 자외선 조사 중 적어도 어느 하나를 이용하여 경화된 광결정 구조의 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 몰드를 상기 광결정 구조의 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 패턴된 몰드를 준비하는 단계에서, 몰드에 패턴된 상기 요철구조는 서로 다른 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
22 22
제 20 항에 있어서,상기 광결정 구조의 금속 산화박막 패턴을 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
23 23
제 20 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계에서 가열온도는 30℃ 내지 350℃이며, 가열시간은 15초 내지 2시간인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
24 24
제 20 항에 있어서,상기 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계에서 자외선 조사시간은 1초 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
25 25
제 20 항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계에서, 상기 광결정 구조를 형성할 층은 투명산화전극 또는 금속으로 이루어진 도전층인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
26 26
제 25 항에 있어서,상기 도전층의 두께는 1nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
27 27
제 25 항에 있어서,상기 도전층이 투명산화전극인 경우, 상기 투명산화전극은 ITO, ZnO, n형-ZnO, p형-ZnO, SnO2 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
28 28
제 27 항에 있어서,상기 투명산화전극을 형성하는 물질이 n형-ZnO이면, n 도핑물질은 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
29 29
제 27 항에 있어서,상기 투명산화전극을 형성하는 물질이 p형-ZnO이면, p 도핑물질은 질소(N), 비소(As), 인(P), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 LED 소자의 제조방법
30 30
제 25 항에 있어서,상기 도전층이 금속인 경우, 상기 금속은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
31 31
제 25 항에 있어서,상기 도전층의 하부에는 금속층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
32 32
제 31 항에 있어서,상기 금속층의 두께는 1nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
33 33
제 20 항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체 용액은 금속에 유기물 리간드가 결합하여 합성된 금속-유기물 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
34 34
제 33 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속원소는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인(P), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 류비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po), 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
35 35
제 33 항에 있어서,상기 유기물 리간드는 에틸헥사노네이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
36 36
제 33 항에 있어서,상기 금속-유기물 전구체는 헥산, 4-메틸-2-펜타논 (4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄 및 펜탄으로 이루어지는 군에서 선택된 용매에 용해되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 LED 소자의 제조방법
37 37
제 20 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 광결정층을 갖는 LED 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02525392 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02525392 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05083780 JP 일본 FAMILY
4 JP23146661 JP 일본 FAMILY
5 US08486753 US 미국 FAMILY
6 US20110169027 US 미국 FAMILY
7 WO2011087176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2525392 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2525392 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2525392 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2011146661 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5083780 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2011169027 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8486753 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2011087176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 21세기 프론티어-나노메카트로닉스 기술개발사업 나노임프린트 공정기술 개발