맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저항 변화 메모리

  • 기술번호 : KST2015119416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화 메모리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저항 변화 메모리는 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부 및 제2 전극과 제3 전극 사이에 형성되고, 제2 전극과 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 메모리부의 데이터 판독 시 메모리부의 저항 값에 따라 제1 전극과 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 두 개의 저항 변화 물질층 중 하나를 스위치로 이용함으로써, 기존의 다이오드 또는 트랜지스터와 같은 스위칭 소자들에 비해 작은 면적에서도 큰 전류를 흘릴 수 있으며, 빠른 스위칭이 가능하다. 또한, 메모리 셀의 구조 자체도 간단하여 집적도 면에서 매우 유리하며, 크로스바(crossbar) 구조의 메모리 어레이에서 발생할 수 있는 인접소자 간의 간섭현상을 제거할 수 있다. 두 개의 직렬 연결된 저항변화메모리(twin-Resistor Random Access Memory, R2RAM), 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 저항변화소자메모리(Resistance Random Access Memory)
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090003763 (2009.01.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0997214-0000 (2010.11.23)
공개번호/일자 10-2010-0084333 (2010.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (20101129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.16)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 김성호 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0029704-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065586-70
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0514062-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부; 및 상기 제2 전극과 제3 전극 사이에 형성되고, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 메모리부의 저항 값에 따라 상기 제1 전극 및 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함하는, 저항 변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 메모리부 및 상기 스위치부는 저항변화물질을 포함하고, 상기 저항변화물질은, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 에르븀(Er) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er) 및 백금(Pt) 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리
4 4
기판상에서 이격되어 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 형성되고, 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되는 저항변화부; 및 상기 저항변화부상에 형성되되, 상기 저항변화부 중 상기 제1 전극과 인접한 영역 및 상기 제2 전극과 인접한 영역 사이에 형성된 제3 전극을 포함하고, 상기 저항변화부는, 상기 저항변화부 중 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이의 영역을 갖고, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부; 및 상기 저항변화부 중 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이의 영역을 갖고, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 메모리부의 저항 값에 따라 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함하는, 저항 변화 메모리
5 5
제4항에 있어서, 상기 저항변화부는 저항변화물질을 포함하고, 상기 저항변화물질은, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 에르븀(Er) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리
6 6
제4항에 있어서, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er) 및 백금(Pt) 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.