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저항변화메모리 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117415
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항변화메모리(Resistance Random Access Memory, RRAM) 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저항변화메모리는, 기판, 기판상에 증착된 제1 도전층, 제1 도전층상에 형성된 저항변화 물질층, 저항변화 물질층상에 증착된 제2 도전층을 포함하고, 저항변화 물질층은 제1 도전층을 미리 설정된 온도에서 산소 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 저항변화메모리 및 제조방법은 플라즈마를 이용해 매우 간단한 방법으로 저온에서 짧은 시간 안에 저항변화메모리를 제조할 수 있다. 비 휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory), 저항변화소자 메모리 (Resistance Random Access Memory), 플라즈마 (Plasma)
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 45/145(2013.01) H01L 45/145(2013.01) H01L 45/145(2013.01) H01L 45/145(2013.01)
출원번호/일자 1020080051403 (2008.06.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0974069-0000 (2010.07.29)
공개번호/일자 10-2009-0125341 (2009.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.02)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 김성호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0392735-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065474-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0089257-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0205655-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0205661-94
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0325012-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판상에 증착된 제1 도전층; 상기 제1 도전층상에 형성된 저항변화 물질층; 및 상기 저항변화 물질층상에 증착된 제2 도전층을 포함하고, 상기 저항변화 물질층은 상기 제1 도전층을 미리 설정된 온도에서 산소 플라즈마 처리하여 형성된 저항변화 메모리
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 휘어질 수 있는 플라스틱 기판인 저항변화 메모리
3 3
제 2항에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프텔레이트(PEN), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 저항변화메모리
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1도전층 및 제 2도전층은 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 저항변화 메모리
5 5
제 1항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 50℃ 미만의 저온인 저항변화메모리
6 6
기판상에 제1 도전층을 적층하는 단계; 상기 제1 도전층상에서 미리 설정된 온도로 산소 플라즈마 처리하여 형성된 저항변화 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화 물질층상에 제2 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 저항변화메모리 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 기판은 휘어질 수 있는 플라스틱 기판인 저항변화 메모리 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프텔레이트(PEN), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 중 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된 저항변화메모리 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제 1도전층 및 제 2도전층은 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 저항변화 메모리 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 50℃ 미만의 저온인 저항변화 메모리 제조방법
11 11
트랜지스터와 트랜지스터를 연결하는 금속연결선을 포함하는 저항변화메모리이고, 상기 금속연결선은, 상기 트랜지스터의 드레인 전극에 일 측이 연결된 제1 금속연결선; 상기 제1 금속연결선의 타 측에 형성된 저항변화 물질층; 및 상기 저항변화 물질층상에 일 측이 연결된 제2 금속연결선을 포함하되, 상기 저항변화 물질층은 상기 제1 금속연결선을 미리 설정된 온도에서 산소 플라즈마 처리하여 형성된 저항변화메모리
12 12
제 11항에 있어서, 상기 제 1금속연결선 및 제 2금속연결선은 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 저항변화 메모리
13 13
제 11항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 50℃ 미만의 저온인 저항변화메모리
14 14
트랜지스터와 트랜지스터를 연결하는 금속연결선을 포함하는 저항변화메모리의 제조방법이고, 상기 금속연결선을 제조하는 방법은, 트랜지스터의 전극상에 제1 금속연결선의 일 측을 연결하는 단계; 상기 제1 금속연결선의 타 측에 저항변화 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화 물질층상에 제2 금속연결선의 일 측을 연결하는 단계를 포함하되, 상기 저항변화 물질층은 상기 제1 금속연결선을 미리 설정된 온도에서 산소 플라즈마 처리하여 형성된 저항변화메모리의 제조방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 제 1금속연결선 및 제 2금속 연결선은 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 저항변화 메모리의 제조방법
16 16
제 14항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 50℃ 미만의 저온인 저항변화메모리의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.