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비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113017
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 기판 상에 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 절연층, 절연층 상에 형성된 부유바디셀, 절연층 상의 부유바디셀 양측에 형성된 소오스와 드레인 및 부유바디셀 상에 형성된 게이트를 포함한다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 전원 공급 시 고속 동작이 가능하며, 전원 공급이 중단되더라도 저항변화물질을 이용하여 데이터를 저장하고 지속적으로 유지 할 수 있다. 디램, 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), 저항변화메모리(Resistance Random Access Memory, RRAM), 비휘발성 메모리
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080049992 (2008.05.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0946179-0000 (2010.03.02)
공개번호/일자 10-2009-0124009 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.29)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 김성호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0384250-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011320-44
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0081740-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 부유바디셀; 상기 절연층 상의 상기 부유바디셀 양측에 형성된 소오스 및 드레인; 및 상기 부유바디셀 상에 형성된 게이트를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 및 상기 부유바디셀 사이에 게이트절연층을 더 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판 및 상기 부유바디셀은 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 실리콘 게르마늄 및 실리콘 카바이드 중 어느 하나를 포함하여 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 저항변화물질은 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 부유바디셀은 전원 공급 시 홀이 축적되도록 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 부유바디셀의 두께는 상기 부유바디셀에서 형성되는 공핍영역의 최대폭보다 두껍게 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 절연층은 상기 전기적 신호에 따라 변화되는 저항값을 유지하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자
8 8
기판 상에, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 부유바디셀을 형성하는 단계; 상기 절연층 상의 상기 부유바디셀 양측에 소오스 및 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 부유바디셀 상에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 기판 및 상기 부유바디셀은 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 실리콘 게르마늄 및 실리콘 카바이드 중 어느 하나를 포함하여 형성되는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 저항변화물질은 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상을 포함하여 형성되는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 부유바디셀의 두께는 상기 부유바디셀에서 형성되는 공핍영역의 최대폭보다 두껍게 형성되는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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