| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 서로 이격되도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 기판, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 절연막;상기 절연막 상에 형성되는 필드 플레이트 전극; 및상기 필드 플레이트 전극과 접촉하도록 형성되는 게이트 전극을 포함하되,상기 게이트 전극은,상기 절연막이 건식 식각된 곳에 고정되는 제1지지부;상기 제1지지부의 상단과 연결되며, 상기 필드 플레이트 전극과 접촉하도록 형성되는 제2지지부; 및상기 제2지지부의 상단과 연결되도록 형성되는 머리부를 포함하며,상기 제2지지부의 폭(W3)은 상기 제1지지부의 폭(W2)보다 크며,상기 제2지지부가 상기 필드 플레이트 전극의 측면 및 상면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 필드 플레이트 전극의 폭(W1)은 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1지지부의 폭(W2)은 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제2지지부의 폭(W3)은 0
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 절연막의 두께는 500~800Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 8 |
8
a) 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;b) 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판 상에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 증착시켜 절연막을 형성하는 단계;c) 상기 절연막 상에 필드 플레이트 전극을 형성하는 단계; 및d) 상기 절연막을 건식 식각하여 제1지지부의 외형을 형성하고 삼중층의 제1감광막으로 상기 제1지지부의 상단과 연결되는 제2지지부 및 상기 제2지지부의 상단과 연결되는 머리부의 외형을 형성한 후 게이트 전극용 금속을 전자선으로 진공증착하여, 상기 제2지지부의 폭(W3)이 상기 제1지지부의 폭(W2)보다 크며, 상기 제2지지부가 상기 필드 플레이트 전극의 측면 및 상면과 접촉하도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 c) 단계는,c-1) 상기 절연막 상에 단일층의 제2감광막을 도포하는 단계;c-2) 형성될 필드 플레이트 전극의 폭만큼 상기 제2감광막을 제거하여 상기 절연막의 일부분을 노출시키는 단계;c-3) 상기 절연막이 노출된 일부분 및 제거되지 않은 제2감광막 위에 필드 플레이트 전극용 금속을 증착시키는 단계; 및c-4) 상기 제거되지 않은 제2감광막 및 그 위에 증착된 필드 플레이트 전극용 금속을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 d) 단계는,d-1) 상기 필드 플레이트 전극이 형성된 상기 절연막 상에 단일층의 제3감광막을 도포하는 단계;d-2) 상기 절연막 및 상기 필드 플레이트 전극의 일부분이 노출되도록 상기 제3감광막을 현상한 후 현상된 제3감광막을 마스크로 이용해 상기 절연막을 식각하는 단계;d-3) 식각되지 않은 제3감광막을 제거하여 제1지지부의 외형을 형성하는 단계;d-4) 상기 제1지지부의 외형이 형성된 절연막 위에 상기 삼중층의 제1감광막을 도포하는 단계;d-5) 상기 제1감광막의 일부분을 제거하여 상기 제1지지부의 상단과 연결되는 상기 제2지지부 및 상기 제2지지부의 상단과 연결되는 머리부의 외형을 형성하는 단계; 및d-6) 상기 제1지지부, 상기 제2지지부 및 상기 머리부의 외형에 상기 게이트 전극용 금속을 전자선으로 진공증착하고 제거되지 않은 제1감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 d-2) 단계에서 노출되는 상기 필드 플레이트 전극의 폭(W4)은 0
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 d-2) 단계에서 노출되는 상기 절연막의 폭(W5)은 0
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 d-5) 단계는 제1지지부의 외형이 기판에도 형성되도록 기판을 리세스 식각(recess etching)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 15 |
15
제8항에 있어서,상기 d) 단계의 건식 식각은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
