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박막 트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015002060
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 상부에 소스 또는 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 소스 또는 드레인 전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 유기 반도체층 상부에 처리용액을 프린팅 방식에 의하여 처리하는 단계를 포함하여, 기존의 유기 박막층에 손상이 심하여 전기적 특성이 저하되는 단점을 극복하고, 트랜지스터의 드레인 전류가 증가하는 등 전기적 특성이 향상된 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 51/107(2013.01) H01L 51/107(2013.01)
출원번호/일자 1020110095774 (2011.09.22)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1327758-0000 (2013.11.05)
공개번호/일자 10-2013-0032085 (2013.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20131111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.22)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 김성훈 대한민국 서울특별시 동대문구
3 황혜림 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0739528-99
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0980710-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073955-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0620309-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1051904-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1051905-19
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0284261-70
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0568100-75
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0568099-16
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0745852-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 소스 전극 또는 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이를 덮고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 일부를 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 유기 반도체층 상에 40 mg/mL의 TIPS 펜타센(pentacene)과 10 mg/mL 의 폴리스티렌(PS)이 포함된 처리용액을 사용하여 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 방식으로 절연층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 절연층은, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 일부와 접촉되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 절연층의 두께를 0
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 유기 반도체층의 두께를 0
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기판은 절연성 유기물을 포함하는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 절연성 유기물은 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리알릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 중에서 선택한 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기판은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 물리브덴
11 11
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Al-Nd 합금, Mo-W 합금 중에서 선택한 1 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 금속산화막, 폴리비닐페놀, 폴리아크릴 및 폴리실록산 중에서 선택한 1 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 소스 또는 드레인 전극은 Au, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os, Al-Nd 합금, Mo-W 합금, ITO, IZO, NiO, Ag2O, In2o3-Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2 및 Zr으로 도핑된 ZnO 중에서 선택한 1 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 TIPS 펜타센(pentacene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 다결정질 구조인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
16 16
제 1 항에 있어서,상기 프린팅 방식은 잉크젯 방식, 오프셋 방식, 스크린 프린팅 및 이들 프린팅의 혼용한 방법인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
17 17
기판 상부에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상부에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이를 덮고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 일부를 덮도록 형성되는 유기 반도체층; 및상기 유기 반도체층 상에 형성되되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 일부와 접촉되도록 형성되는 절연층을 포함하되,상기 절연층은, 상기 유기 반도체층 상에 40 mg/mL의 TIPS 펜타센과 10 mg/mL 의 폴리스티렌이 포함된 처리용액을 사용하여 잉크젯 프린팅 방식으로 형성되는, 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 경희대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 비진공 공정을 이용한 TFT CMOS 회로 기반 기술 개발