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3차원 임프린트 리소그래피 방법

  • 기술번호 : KST2015002222
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 미세 형상 제작이 가능한 임프린트 리소그래피 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 레지스트가 도포된 기판위에 2차원 형상의 스탬프(10)가 두 개 이상 중첩되어 가압된 후, 가열 또는 자외선 조사가 수행됨으로써, 복잡한 3차원 형상 제작이 가능한 3차원 임프린트 리소그래피 방법에 관한 것이다.본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 스탬프(10)의 패턴이 전사되어 기판(30) 위에 미세 구조물이 형성되는 임프린트 리소그래피에 있어서, 상기 스탬프(10)는 상기 기판(30) 위에 적어도 두 개 이상 중첩되도록 상·하 방향으로 제1스탬프(11), 제2스탬프(12)…….제N-1스탬프 및 제N스탬프로 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020100054640 (2010.06.10)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1055634-0000 (2011.08.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임형준 대한민국 대전광역시 유성구
2 이재종 대한민국 대전광역시 유성구
3 최기봉 대한민국 대전광역시 유성구
4 김기홍 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0372056-53
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0164703-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-2011-0029008-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0199914-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0411981-55
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0411992-57
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0408902-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스탬프(10)의 패턴이 전사되어 기판(30) 위에 3차원 형상의 미세패턴이 임프린트 되는 3차원 임프린트 리소그래피 방법에 있어서,상기 스탬프(10)는 상기 기판(30) 위에 적어도 두 개 이상 중첩되도록 상·하 방향으로 제1스탬프(11), 제2스탬프(12)……, 제N-1스탬프, 및 제N스탬프로 구성되되,상기 제N-1스탬프는 제N스탬프보다 경도 또는 강도가 큰 재질로 이루어지며, 두께가 두껍고, 패턴의 단면적이 크며,복수개의 상기 스탬프(10)는 일정시간 간격을 두고 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 기판(30) 상측에는 열경화성 레지스트(20)가 도포되어 상기 스탬프(10)와 접촉된 다음, 가압 및 가열을 통해 상기 레지스트(20)가 열변형 됨으로써 상기 스탬프(10)의 패턴이 상기 기판(30)에 전사되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 기판(30) 상측에 도포되어 상기 스탬프(10)와 접촉되는 레지스트(20)에는 가압 및 자외선 조사에 의해 상기 스탬프(10)의 패턴이 전사되며,상기 레지스트(20)는 자외선에 의해 경화되는 소재인 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법
8 8
삭제
9 9
제 1항에 있어서,상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 상기 스탬프(10)는 일측면의 일측 가장자리부터 상기 기판(30)에 접촉된 상태에서 타측 가장자리까지 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 가압되는 압력, 가열되는 온도 및 상기 스탬프(10)의 재질, 두께 및 형태에 따라 3차원 형상의 패턴이 변화되어 전사되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 2010년 나노메카트로닉스사업 다층 나노임프린팅 장비핵심원천기술개발