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ＵＶ 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 ＵＶ나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물

  • 기술번호 : KST2015159786
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV 나노 임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 투명기판, 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층, 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 방전층의 손상을 방지하는 보호층, 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 방전층을 보호하는 산화실리콘층이 방전층 상에 형성되어 있어 피라나 용액으로 표면처리시에 방전층이 손상되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 한 번의 식각공정으로 간단하게 형성되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지므로 설계대로 명확하게 패터닝을 할 수 있게 된다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/20 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01)
출원번호/일자 1020080001229 (2008.01.04)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0925223-0000 (2009.10.29)
공개번호/일자 10-2009-0075392 (2009.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20091106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 관악구
2 위정섭 대한민국 서울 관악구
3 남성욱 대한민국 서울 관악구
4 임기필 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0007319-46
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0017390-57
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022563-65
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0172459-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0373109-39
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0434333-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판; 상기 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층(discharge layer); 상기 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 상기 방전층의 손상을 방지하는 보호층(protection layer); 상기 보호층 상에 형성된 실리콘층; 및 상기 실리콘층 상에 형성된 전자빔 레지스트층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트층은, HSQ(hydrogen silsesquioxane)로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
3 3
제1항에 있어서, 상기 방전층은, 투명전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
4 4
제3항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물은, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO 및 AZO(Al 도핑된 ZnO) 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
5 5
제1항에 있어서, 상기 투명기판은, 석영(quartz), 유리, 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물 및 마그네슘 산화물 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
6 6
제1항에 있어서, 상기 보호층은, 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
7 7
제1항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트층은, 상기 전자빔 레지스트층 두께에 대한 상기 실리콘층 두께의 비가 상기 전자빔 레지스트층의 식각속도에 대한 상기 실리콘층의 식각속도의 비보다 작게 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물
8 8
제2항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트층은, 상기 실리콘층 두께의 1/3
9 9
투명기판; 상기 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층; 상기 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 상기 방전층의 손상을 방지하는 보호층; 및 상기 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
10 10
제9항에 있어서, 상기 방전층은, 투명전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
11 11
제10항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물은, ITO, IZO, ZnO 및 AZO 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
12 12
제9항에 있어서, 상기 투명기판은, 석영, 유리, 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물 및 마그네슘 산화물 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
13 13
제9항에 있어서, 상기 보호층은, 산화 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
14 14
제9항에 있어서, 상기 패터닝된 실리콘층 상에 형성된 상기 실리콘층과 동일한 형태로 패터닝된 산화 실리콘층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
15 15
제14항에 있어서, 상기 패터닝된 산화 실리콘층은, 상기 패터닝된 실리콘층의 두께보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국기계연구원 21세기 프론티어 연구개발 사업(나노메카트로닉스기술개발) 나노임프린트용 마스크 제작 공정 개발