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고균일도의 및 저손상 공정을 위한 차세대 대면적 나노소자용 식각 장비

  • 기술번호 : KST2015003833
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노소자용 식각 장비가 개시되며, 상기 나노소자용 식각 장비는 피식각 물질을 구비하면서 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 발생되는 플라스마를 이용하여 상기 피식각 물질을 식각하는 본체부; 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 상기 피식각 물질에 펄스 신호를 인가하는 바이어스 파워; 및 상기 소스 파워 및 상기 바이어스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호와 상기 나노소자 기판에 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32165(2013.01) H01J 37/32165(2013.01) H01J 37/32165(2013.01)
출원번호/일자 1020120119378 (2012.10.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1382607-0000 (2014.04.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울 송파구
2 전민환 대한민국 경기 수원시 장안구
3 김경남 대한민국 경기 수원시 장안구
4 김회준 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0874041-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0064347-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0771965-94
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0020271-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0020272-46
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0197122-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노소자용 식각 장비에 있어서,피식각 물질을 구비하면서 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 발생되는 플라스마를 이용하여 상기 피식각 물질을 식각하는 본체부;상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워;상기 피식각 물질에 펄스 신호를 인가하는 바이어스 파워; 및상기 소스 파워 및 상기 바이어스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호와 상기 나노소자 기판에 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하되,상기 멀티전극은 상기 본체부의 상단 중앙에 배치되는 중앙전극 및 상기 중앙전극과 이격되어 상기 중앙전극을 둘러싸는 형태로 배치된 복수의 외각전극을 포함하고,상기 주 제어부는 상기 중앙전극에 인가되는 펄스 신호의 on 상태 타이밍, 상기 외각전극에 인가되는 펄스 신호의 on 상태 타이밍, 및 상기 나노소자 기판에 인가되는 펄스 신호의 on 상태 타이밍을 각각 제어하는 나노소자용 식각 장비
2 2
제 1 항에 있어서,상기 본체부는,상기 피식각 물질이 놓이는 지지대;상기 피식각 물질을 식각하기 위한 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부; 및상기 플라스마 발생부에 촉매 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 나노소자용 식각 장비
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 소스 파워는 상기 외각전극에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 상기 중앙전극에 인가하는 것인 나노소자용 식각 장비
5 5
제 1 항에 있어서,상기 주 제어부는,상기 중앙전극에 인가되는 펄스 신호와 상기 외각전극에 인가되는 펄스 신호가 번갈아가며 on 상태가 되도록 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 나노소자용 식각 장비
6 6
제 1 항에 있어서,상기 주 제어부는,상기 나노소자 기판에 인가되는 펄스 신호의 on 상태가 상기 중앙전극에 인가되는 펄스 신호 또는 상기 외각전극에 인가되는 펄스 신호의 on 상태와 부분적으로 겹치게 되도록 상기 바이어스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 나노소자용 식각 장비
7 7
제 1 항에 있어서,상기 바이어스 파워는 상기 멀티전극에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 상기 나노소자 기판에 인가하는 것인 나노소자용 식각 장비
8 8
나노소자용 식각 장비를 이용한 나노소자 식각 방법에 있어서,a) 플라스마 발생을 위한 멀티전극을 포함하는 나노소자용 식각 장비 및 피식각 물질을 구비하는 단계;b) 소스 파워를 통해 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 단계;c) 바이어스 파워를 통해 상기 피식각 물질에 펄스 신호를 인가하는 단계;d) 주 제어부를 통해 상기 소스 파워 및 상기 바이어스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호와 상기 피식각 물질에 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 단계; 및e) 상기 나노소자용 식각 장비에서 발생되는 플라스마로 상기 피식각 물질을 식각하는 단계를 포함하되,상기 d) 단계는상기 멀티전극에 포함된 중앙전극에 인가되는 펄스 신호의 on 상태 타이밍, 상기 멀티전극에 포함된 외각전극에 인가되는 펄스 신호의 on 상태 타이밍, 및 상기 나노소자 기판에 인가되는 펄스 신호의 on 상태 타이밍을 각각 제어하는 단계를 포함하는 나노소자 식각 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 b) 단계는 상기 멀티전극에 포함된 외각전극에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 상기 멀티전극에 포함된 중앙전극에 인가하는 것인 나노소자 식각 방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 d) 단계는,상기 멀티전극에 포함된 중앙전극에 인가되는 펄스 신호와 상기 멀티전극에 포함된 외각전극에 인가되는 펄스 신호가 번갈아가며 on 상태가 되도록 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 단계; 및상기 피식각 물질에 인가되는 펄스 신호의 on 상태가 상기 중앙전극에 인가되는 펄스 신호 또는 상기 외각전극에 인가되는 펄스 신호의 on 상태와 부분적으로 겹치게 되도록 상기 바이어스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 단계를 포함하는 나노소자 식각 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 c) 단계는 상기 멀티전극에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 상기 피식각 물질에 인가하는 것인 나노소자 식각 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 전자정보디바이스산업원천기술개발 저손상 나노소자 공정을 위한 450mm 장비 플라즈마 원천기술 개발