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가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015008454
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 가변 에너지 그래핀 투과 트랜지스터는 그래핀층, 상기 그래핀층 상부 및 하부에 각각 적층되는 제1절연층 및 제2절연층, 상기 제1절연층의 상부에 서로 다른 일함수를 갖는 물질로 형성되는 소스 전극과 드레인 전극, 상기 제2절연층의 하부에 형성되는 게이트 전극을 포함하되, 상기 소스 전극은 드레인 전극보다 낮은 일함수를 갖는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020120143540 (2012.12.11)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1399195-0000 (2014.05.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재우 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-1028508-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0080719-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802616-92
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0058008-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0057956-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0327819-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
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그래핀층;상기 그래핀층 상부 및 하부에 각각 적층되는 제1절연층 및 제2절연층;상기 제1절연층의 상부에 서로 다른 일함수를 갖는 물질로 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 제2절연층의 하부에 형성되는 게이트 전극을 포함하되,상기 소스 전극은 드레인 전극보다 낮은 일함수를 갖는 것을 특징으로 하는 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터는,상기 소스 전극 및 드레인 전극에서 상기 그래핀층으로 양자 투과 현상에 의해 전자 및 홀이 각각 전달되는 것을 특징으로 하는 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터는,전자기파, 적외선 또는 가시광선 중 어느 하나가 방출되는 것을 특징으로 하는 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터에서 방출되는 전자기파 또는 빛의 에너지는 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전압 또는 게이트 전압에 비례하는 것을 특징으로 하는 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터
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제7항에 있어서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.