| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 형성되고, 상호간에 이격 공간을 가지며, 기판 표면의 일부를 노출하는 마스크층들; 및상기 마스크층들 사이의 상기 이격 공간을 매립하고, 상기 마스크층들 상부 표면 상에 형성된 산화아연 박막을 포함하고,상기 마스크층들은 산화아연과의 반응이 차단되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 마스크층들을 구성하는 원소들 사이의 결합 강도는 상기 마스크층들을 구성하는 원소가 산소와 결합했을 경우보다 더 강한 결합 강도를 형성하고, 상기 마스크층들을 구성하는 원소들 사이의 결합강도가 상기 마스크층들을 구성하는 원소가 아연과 결합한 경우의 결합 강도보다 큰 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 마스크층들은 대기 중에서 고체이며, 융점이 900℃를 상회하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 마스크층들은 AlF3, NaF2, SrF2 또는 MgF2를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 산화아연 박막은, 상기 기판 상에 MOCVD 공정을 통해 형성되고, 상기 마스크층들의 하부에 형성된 1차 산화아연 박막; 및상기 1차 산화아연 박막 상에 형성되고, 상기 마스크층들 사이의 상기 이격 공간을 매립하고, 상기 마스크층들 상부에 형성된 2차 산화아연 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체
|
| 6 |
6
기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 예비 마스크층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴에 대한 리프트-오프 공정을 수행하여 상기 예비 마스크층으로부터 패턴화된 마스크층들을 형성하는 단계; 및상기 마스크층들 사이의 이격 공간부터 충진하고, 상기 마스크층들 상부를 덮는 산화아연 박막을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연 박막 구조체의 형성방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 마스크층들은 AlF3, NaF2, SrF2 또는 MgF2를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체의 형성방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서, 상기 예비 마스크층은 E-Beam 증착을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체의 형성방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 1차 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및상기 1차 산화아연 박막 상에 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체의 형성방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 산화아연 박막을 형성하는 단계는,상기 마스크층들에 의해 노출된 상기 1차 산화아연 박막을 근거로 2차 산화아연 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 구조체의 형성방법
|
