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Ｐ형의 전기적 특성을 갖는 아연산화물 반도체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015083579
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 P형의 전기적 특성을 갖는 아연산화물 반도체 제조방법은 기판에 버퍼층을 형성하는 단계와, 버퍼층의 상부에 도판트를 첨가한 아연산화물 박막을 형성하는 단계 및 아연산화물 박막에 엑시머 레이저 처리하는 단계를 포함한다. 따라서, 절연체의 전기적 특성 또는 n형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막을 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용하여 표면을 처리함으로써 수소의 농도를 감소시키고, p형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 용이하게 전환시킬 수 있다. 아연산화물 반도체, 엑시머 레이저, p형 반도체
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01)
출원번호/일자 1020070117170 (2007.11.16)
출원인 광주과학기술원, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0947748-0000 (2010.03.08)
공개번호/일자 10-2009-0050614 (2009.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20100317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.16)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오민석 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구
3 강장원 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0823242-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.02 수리 (Accepted) 9-1-2009-0000250-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0218465-78
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0452576-13
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0452048-28
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0452570-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0491065-00
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2009.12.29 무효 (Invalidation) 7-1-2009-0065466-17
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2009.12.30 수리 (Accepted) 7-1-2009-0065663-16
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.02.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0007439-60
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0096949-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 도판트를 첨가한 아연산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 도판트가 첨가된 아연산화물 박막의 표면을 엑시머 레이저 처리하는 단계를 포함하되, 상기 엑시머 레이저 처리는 질소 분위기에서 150~250 mJ/cm2의 에너지로 실시되며 1회 이상 4회 미만으로 조사되는 것을 특징으로 하는 P형의 전기적 특성을 갖는 아연산화물 반도체 제조방법
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