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세미플루오로 알킬기가 치환된 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015011440
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 세미플루오로알킬기가 치환된 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 즉, 티오펜 고리에 연결된 알킬기의 수소 전체가 불소로 치환된 구조, 또는 말단 부분은 불소로 치환되지 않고 티오펜 고리에 연결된 부분만 수소가 불소로 치환된 구조와 대비하여, 본 발명에 따른 말단 부분만 수소가 불소로 치환된 구조가 정공 이동도가 크게 증가할 뿐 아니라, 열적 안정성 및 화학적 안정성이 크게 향상됨을 확인하였다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) C08G 75/02 (2006.01) C07D 409/14 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01) C07D 409/14(2013.01)
출원번호/일자 1020120115984 (2012.10.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1461136-0000 (2014.11.06)
공개번호/일자 10-2014-0049769 (2014.04.28) 문서열기
공고번호/일자 (20141113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동유 대한민국 광주광역시 북구
2 정형구 대한민국 광주광역시 북구
3 임보규 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0848270-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0045131-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0117894-12
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0375890-78
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0460347-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0472829-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0472815-62
9 등록결정서
Decision to grant
2014.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0616573-98
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
하기 화학식으로 표현되는 것임을 특징으로 하는 π-컨쥬게이트된 화합물:[화학식 2]상기 p와 p'는 불소-비치환 알킬렌의 반복수로서, 서로 동일하거나 상이하고, 상기 p와 p'는 각각 독립적으로 4 내지 6인 정수이고;상기 (q-1)과 (q'-1)은 디플루오로알킬렌의 반복수로서, 서로 동일하거나 상이하고, 상기 q와 q'는 각각 독립적으로 6 내지 8인 정수이며;상기 (p+q)는 10 내지 14의 정수이고; 상기 (p'+q')는 10 내지 14의 정수이며;상기 q/p는 1 내지 2 사이의 값을 가지고; 상기 q'/p'는 1 내지 2 사이의 값을 가지며;상기 n은 2 내지 5,000,000인 정수이다
4 4
제3항에 있어서, 상기 p와 p'는 서로 동일하고;상기 q와 q'는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 π-컨쥬게이트된 화합물
5 5
삭제
6 6
제3항에 있어서, 상기 p, p', q, q'가 각각 5, 5, 7, 7인 것을 특징으로 하는 π-컨쥬게이트된 화합물
7 7
상기 제3항, 제4항, 및 제6항 중 어느 한 항에 따른 π-컨쥬게이트된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막
8 8
소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 게이트 절연층 및 유기 반도체층을 포함하는 전계 효과 유기 트랜지스터로서,상기 유기 반도체층은 상기 제7항의 전도성 유기 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 유기 트랜지스터
9 9
하기 화학식 2로 표현되는 π-컨쥬게이트된 화합물의 제조방법으로서, 상기 제조방법은 하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 π-컨쥬게이트된 화합물의 제조방법:[화학식 2];(a) 하기 화학식 3의 화합물과 하기 화학식 4의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 수득하는 단계:[화학식 3][화학식 4][화학식 5];(b) 상기 화학식 5의 화합물과 하기 화학식 6의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 7의 화합물을 수득하는 단계:[화학식 6][화학식 7];(c) 상기 화학식 7의 화합물을 환원시켜 하기 화학식 8의 화합물을 수득하는 단계:[화학식 8];(d) 상기 화학식 8의 화합물의 수소 중 하나를 X4로 치환하여 하기 화학식 9의 화합물을 수득하는 단계:[화학식 9];(e) 상기 화학식 9의 화합물을 서로 커플링시켜 하기 화학식 10의 화합물을 수득하는 단계:[화학식 10]; 및(f) 상기 화학식 10의 화합물에 하기 화학식 11의 화합물을 커플링시켜 하기 화학식 2의 화합물을 수득하는 단계:[화학식 11];상기 p와 p'는 동일하고, 상기 q와 q'는 동일하며;상기 p와 p'는 각각 독립적으로 4 내지 6인 정수이고, 상기 q와 q'는 각각 독립적으로 6 내지 8인 정수이며;상기 q/p는 1 내지 2 사이의 값을 가지고, 상기 q'/p'는 1 내지 2 사이의 값을 가지며;상기 n은 2 내지 5,000,000인 정수이고;상기 X1, X2, X3, X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Br, Cl, I 중에서 선택된다
10 10
제9항에 있어서, 상기 (a) 단계는 그리냐르(Grignard) 착물 형성을 안정화하기 위하여 디에틸이서 극성용매 조건에서 쿠마다(Kumada) 커플링을 이용하여 수행되며;상기 (b) 단계는 라디칼 소멸을 막기 위해 무수(anhydrous) 조건에서 라디칼 반응을 사용하여 수행되며;상기 (c) 단계는 요오드 제거를 위해 환원제인 NaBH4를 사용하여 수행되고;상기 (d) 단계는 티오펜 2번 위치에 브롬을 치환시키기 위하여 N-브로모숙신이미드(N-bromosuccinimide, NBS)를 사용하여 약산 조건에서 수행되며;상기 (e) 단계는 팔라듐(Pd) 촉매를 사용하여 극성용매 조건에서 수행되고;상기 (f) 단계는 스틸레 크로스 커플링(Stille cross coupling)을 사용하여 질소 분위기 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 π-컨쥬게이트된 화합물의 제조방법
11 11
(A) 상기 제9항 또는 제10항에 따라 상기 화학식 2로 표현되는 π-컨쥬게이트된 화합물을 제조하는 단계;(B) 상기 π-컨쥬게이트된 화합물을 용매 또는 분산매에 투입하여 용해 또는 분산시켜 상기 π-컨쥬게이트된 화합물의 용액 또는 분산액을 수득하는 단계;(C) 상기 용액 또는 분산액에 기판을 침지하고 꺼낸 후 건조하는 단계를 포함하는 전도성 유기 박막의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 용매 또는 분산매는 디클로로벤젠(DCB), 트리클로로벤젠(TCB), 헥사플루오로벤젠(HFB) 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 (B) 단계는 열적 어닐링 과정을 거치지 않고 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 (B) 단계는 10-40 ℃의 온도에서 수행되는 것임을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조방법
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1 교육과학기술부 광주과학기술원 도약연구(전략연구)지원사업 Lock & Key 분자설계 전략을 통한 고효율 플라스틱 태양전지 개발(2/5)