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티아졸계 유기 반도체 화합물 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터
- 기술번호 : KST2015174723
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 티아졸을 이용하는 유기반도체 화합물을 제공한다. 또한 티아졸을 이용하는 유기 반도체 화합물을 유기 반도체 층에 사용하는 유기박막트랜지스터를 제공한다. 티아졸을 이용하는 신규한 유기반도체 화합물은 액정성을 가지며 열적안정성이 뛰어나므로 유기박막트랜지스터에서 유기반도체층에 제공된다. 이를 달성하기 위해 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막을 형성하고, 실리콘 산화물 상에 티아졸을 포함하는 유기반도체층을 형성한다. 또한, 유기반도체층 상부의 양측 영역에는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 유기반도체층을 사용한 유기박막트랜지스터는 개선된 점멸비를 가지고, 뛰어난 열적 안정성을 가진다. 또한, 용액 공정이 가능하다는 잇점이 있다. 유기 반도체, 티아졸, 유기 박막트랜지스터, 점멸비 |
|---|---|
| Int. CL | C07D 513/04 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | C07D 513/04(2013.01) C07D 513/04(2013.01) C07D 513/04(2013.01) C07D 513/04(2013.01) C07D 513/04(2013.01) C07D 513/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070123143 (2007.11.30) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0934534-0000 (2009.12.21) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0056120 (2009.06.03) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20091229) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.11.30) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김동유 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 임보규 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 3 | 백강준 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 4 | 정형구 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 5 | 오승환 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 6 | 박홍주 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0863163-20 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0040300-52 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.05.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0209515-52 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.07.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0417942-66 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.07.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0418602-26 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.07.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0418596-39 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0463415-86 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 화학식(1)로 표현되는 것을 특징으로 하는 티아졸 유기반도체 화합물 |
| 2 |
2 ⅰ) 실리콘 기판을 준비하는 단계; ⅱ) 상기 실리콘 기판 상에 실리콘 산화물을 사용하여 절연층을 형성하는 단계; ⅲ) 상기 절연층 상에 화학식 (1)을 사용하여 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및 ⅳ) 상기 유기 반도체층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 고진공하 상태에서 증착하여 상기 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법 |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서, 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 용액에 녹인후 코팅하여 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법 |
| 5 |
5 실리콘 기판층; 상기 실리콘 기판층 상부의 실리콘 산화물을 사용한 절연층; 상기 절연층 상부의 화학식 (1)을 사용하는 유기 반도체층; 및 상기 유기 반도체층 상부의 전극층을 포함하는 유기박막트랜지스터 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 유기 반도체층은 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 고진공하 상태에서 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 |
| 7 |
7 제 5 항에 있어서, 유기 반도체층은 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 용액에 녹인후 코팅하여 형성된 것을 특징으로 유기박막트랜지스터 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP02065389 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | EP02065389 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | JP04994347 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | JP21132717 | JP | 일본 | FAMILY |
| 5 | US07897963 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US08263431 | US | 미국 | FAMILY |
| 7 | US20090152538 | US | 미국 | FAMILY |
| 8 | US20110177653 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP2065389 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | EP2065389 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP2009132717 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP4994347 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2009152538 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 6 | US2011177653 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 7 | US7897963 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 8 | US8263431 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0934534-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071130 출원 번호 : 1020070123143 공고 연월일 : 20091229 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091111 청구범위의 항수 : 7 유별 : C07D 513/04 발명의 명칭 : 티아졸계 유기 반도체 화합물 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : 20171222 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2009년 12월 21일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2012년 10월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2014년 10월 01일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 366,000 원 | 2015년 10월 02일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 256,200 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0863163-20 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2008.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0040300-52 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2009.05.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0209515-52 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.07.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0417942-66 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.07.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0418602-26 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.07.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0418596-39 |
| 8 | 등록결정서 | 2009.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0463415-86 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350008187 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-01412 |
| 연구과제명 | 신기능고효율광전소자를위한점진적나노구조제어기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200504~200703 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1355052282 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345099488 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-0051135 |
| 연구과제명 | 신기능고효율광전소자를위한점진적나노구조제어기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200504~201003 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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