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실리콘 나노와이어 소자

  • 기술번호 : KST2015012790
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신뢰성 높은 실리콘 나노와이어 소자가 제안된다. 제안된 실리콘 나노와이어 소자는 제1도전형 실리콘 기판과 제1도전형 실리콘 기판 상에 이격되어 형성되되, 양단이 제1도전형 실리콘 기판과 연결된 제2도전형 나노와이어를 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82Y 35/00 (2011.01) G01N 27/403 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110088210 (2011.08.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1475732-0000 (2014.12.17)
공개번호/일자 10-2013-0024646 (2013.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20141224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석원 대한민국 경기도 오산
2 성우경 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이국녕 대한민국 서울 성북구
4 이민호 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0681934-29
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0768382-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0219329-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0505236-00
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0592214-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0710306-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0710355-88
9 등록결정서
Decision to grant
2014.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0860496-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1도전형 실리콘 기판;상기 제1도전형 실리콘 기판의 상측에 상기 제1도전형 실리콘 기판과 이격되어 형성되되, 양단은 상기 제1도전형 실리콘 기판과 연결된 제1도전형 나노와이어; 및 상기 제1도전형 실리콘 기판 및 상기 제1도전형 나노와이어 사이에 형성된 제2도전형 우물층;을 포함하는 실리콘 나노와이어 소자
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제6항에 있어서, 상기 제1도전형 실리콘 기판은 p형 실리콘 기판이고,상기 제1도전형 나노와이어는 p형 나노와이어이며, 상기 제2도전형 우물층은 n형 층인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 소자
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제6항에 있어서, 상기 제1도전형 나노와이어는,상기 제1도전형 실리콘 기판과 이격된 영역에 제2도전형 도핑영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 소자
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1 WO2013032049 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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