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웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와 그 병렬 프로브 어레이 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되도록 복수개의 컨택 레벨링 프로브들을 형성하는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들과 병렬 프로브에 전압을 인가하여 구동시키는 제 2 단계와; 상기 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접근시키는 제 3 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들 중, 하나의 컨택 레벨링 프로브가 상기 대상 웨이퍼에 접촉되면, 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 수평 정렬하는 제 4 단계와; 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 상기 대상 웨이퍼에 접촉되면, 모든 프로브들에 인가된 전압을 해제하는 제 5 단계와; 상기 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 대상 웨이퍼에 일정간격으로 근접시킨 후, 상기 병렬 프로브에 전압을 인가하여 리소그래피 공정을 수행하는 제 6 단계로 구성된 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 컨택 레벨링 프로브는, 그의 구동 변위()가 상기 병렬 프로브가 구동되는 변위()보다 큰 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 6 단계의 일정간격은, 상기 컨택 레벨링 프로브와 상기 병렬 프로브간의 변위차()만큼의 간격인 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 병렬 프로브와 컨택 레벨링 프로브 각각은, 웨이퍼 상에 지지되어 부상되어 있는 캔틸레버와, 상기 캔틸레버의 상부에 형성된 압전 엑츄에이터와, 상기 캔틸레버의 상부 선단에 형성된 팁과, 상기 압전 엑츄에이터와 팁 사이의 캔틸레버 상부에 형성된 변위센서로 구성된 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 변위센서는, 상기 캔틸레버에, p-도핑 또는 n-도핑하여 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 변위센서는, 정전용량식 변위 센서인 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 압전 엑츄에이터는, 상기 캔틸레버 상부에 하부전극, 압전막과 상부전극을 순차적으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 팁은, 저에너지 전류를 방출하기 위하여 금속으로 형성하거나, 또는 도핑된 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 6 단계의 리소그래피 공정은, 상기 팁에 잉크를 묻혀 리소그래피 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 6 단계의 리소그래피 공정은, 상기 팁에 잉크를 묻혀 리소그래피 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법
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