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웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와, 그 병렬 프로브 어레이 영역의 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되며, 상기 병렬 프로브보다 구동 변위가 큰 복수개의 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼 상부에 위치시키는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들을 구동시키고, 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접촉되지 않으면, 상기 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 수평 정렬시키는 제 2 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브로 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하여 정렬 마크(Alignment mark)를 형성 및 인식하는 제 3 단계와; 상기 병렬 프로브들로, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하고, 현상(Develop) 및 패터닝(Patterning)공정을 수행하는 제 4 단계로 구성된 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하는 것은, 상기 컨택 레벨링 프로브와 상기 병렬 프로브간의 변위차 만큼 상기 병렬프로브와 대상 웨이퍼 사이에 간격을 유지한 후, 상기 병렬프로프에 전압을 인가하여 리소그래피 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계 후에, 상기 대상 웨이퍼 상에 층이 증착되어 패턴 형성할 때마다, 웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와, 그 병렬 프로브 어레이 영역의 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되며, 상기 병렬 프로브보다 구동 변위가 큰 복수개의 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼 상부에 위치시키는 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들을 구동시키고, 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접촉되지 않으면, 상기 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 수평 정렬시키는 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브로 AFM 스캐닝을 수행하여, 대상 웨이퍼의 정렬마크를 확인하는 단계와; 상기 병렬 프로브들에 전압을 인가하여 구동시켜, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하고, 현상(Develop) 및 패터닝(Patterning)공정을 수행하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 병렬 프로브와 컨택 레벨링 프로브 각각은, 웨이퍼 상에 지지되어 부상되어 있는 캔틸레버와, 상기 캔틸레버의 상부에 형성된 압전 엑츄에이터와, 상기 캔틸레버의 상부 선단에 형성된 팁과, 상기 압전 엑츄에이터와 팁 사이의 캔틸레버 상부에 형성된 변위센서로 구성된 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 변위센서는, 상기 캔틸레버에, p-도핑 또는 n-도핑하여 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 변위센서는, 정전용량식 변위 센서인 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 압전 엑츄에이터는, 상기 캔틸레버 상부에 하부전극, 압전막과 상부전극을 순차적으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 팁은, 저에너지 전류를 방출하기 위하여 금속으로 형성하거나, 또는 도펀트가 도핑된 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하는 것은, 상기 팁에 잉크를 묻혀 리소그래피 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하는 것은, 상기 팁에 잉크를 묻혀 리소그래피 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법
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