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기판 위에 식각 방지막을 형성하는 단계,상기 식각 방지막 위에 패턴의 깊이와 동일한 두께를 포함하는 식각막을 형성하는 단계,상기 식각막 위에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계,식각 공정을 통해 상기 식각 방지막이 노출될 때까지 상기 식각막을 완전히 식각하는 단계,상기 식각 마스크 패턴을 제거하고 상기 깊이의 패턴을 포함하는 금형을 형성하는 단계, 그리고상기 금형 위에 성형 재료를 도포하고, 상기 성형 재료의 성형이 완료되면 상기 금형으로부터 분리하여 회절광학소자를 형성하는 단계를 포함하는 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 회절광학소자 형성 단계는 상기 회절광학소자 위에 레이저 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 회절광학소자 형성 단계는 상기 금형 위에 이형 재료를 도포하는 단계와, 상기 이형 재료 위에 성형 재료를 도포하는 단계를 더 포함하는 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 기판은 실리콘, 유리, 또는 석영 중 적어도 하나 이상인 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 식각 방지막은 상기 식각막보다 식각률이 작은 물질을 포함하는 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 식각 방지막은 금속(metal)을 포함하는 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 식각막은 폴리 실리콘(polysilicon), 비정질 실리콘(amorphous silicon), 실리콘 산화막(silicon dioxide film), 또는 폴리머(polymer) 중 적어도 하나 이상인 회절광학소자 제조 방법
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제1항에서,상기 성형 재료는 투명 플라스틱인 회절광학소자 제조 방법
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