맞춤기술찾기
이전대상기술
유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015031201
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 유기물 반도체 소자를 보호하기 위해 전체 상부면에 접착층 및 유기물과 무기물을 갖는 복합막을 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 형성함으로써, 유기물 반도체 소자의 활성층 열화 원인인 수분 및 산소를 차단할 뿐만 아니라 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다. 유기 박막 트랜지스터(OTFT), 엡캡슐레이션 박막, 고분자막, 무기막, 유기-무기 복합막 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/0545(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020040017235 (2004.03.15) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0584721-0000 (2006.05.23) |
| 공개번호/일자 | 10-2005-0065245 (2005.06.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20060530) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020030096028 | 2003.12.24
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2004.03.15) |
| 심사청구항수 | 18 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김기현 | 대한민국 | 대전광역시서구 |
| 2 | 이정헌 | 대한민국 | 서울특별시동대문구 |
| 3 | 김성현 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 4 | 양용석 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 5 | 도이미 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 6 | 윤성민 | 대한민국 | 대전광역시서구 |
| 7 | 서경수 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 8 | 장진 | 대한민국 | 서울특별시동대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2004.03.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0105213-33 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2005.09.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2005.10.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0068962-97 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2005.11.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0585722-77 |
| 5 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.01.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0035509-46 |
| 6 | 의견서 Written Opinion |
2006.01.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0035513-29 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.05.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0289175-71 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 유기물 반도체 소자에 있어서,상기 유기물 반도체 소자의 전체 상부면에 형성된 접착층과,상기 접착층의 전체 상부면에 형성된 유기물과 무기물을 포함하는 복합막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 복합막은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 고분자막이 접착층에 의해 부착된 상태로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 복합막은 고분자막 및 무기막이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 4 |
4 제 2항에 있어서, 상기 복합막은 제 1고분자막, 무기막 및 제 2고분자막이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 5 |
5 제 2항에 있어서, 상기 복합막은 제 1고분자막, 제 2고분자막, 무기막 및 제 3고분자막이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 6 |
6 제 2항에 있어서, 상기 복합막은 제 1고분자막, 제 1무기막, 제 2고분자막, 제 2무기막 및 제 3고분자막이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 7 |
7 제 2항에 있어서, 상기 복합막은 제 1고분자막, 제 2고분자막, 무기막, 제 3고분자막 및 제 4고분자막이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 8 |
8 제 2항에 있어서, 상기 복합막은 제 1고분자막, 제 1무기막, 제 2고분자막, 제 2무기막, 제 3고분자막 및 제 4고분자막이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 9 |
9 제 2항에 있어서, 상기 무기막은 알루미늄(Al), 주석 및 아연 들 중 어느 하나 또는 이들 중 적어도 하나를 기본으로 하는 합금막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 10 |
10 제 2항에 있어서, 상기 고분자막은 저밀도 폴리에틸렌(low density polyethylene), 초저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(high density polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 나일론 6(nylon 6), 나일론 66(nylon 66), 나일론 6/9(nylon 6/9), 나일론 6/10(nylon 6/10), 나일론 6/12(nylon 6/12), 나일론 11, 나일론 12, 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl chloride), 폴리비닐리덴 클로라이드(polyvinylidene chloride), 폴리부틸 테레프탈레이트(polybutyl terephthalate) 및 폴리(메트)아크릴레이트(poly(meth)acrylate) 들 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 11 |
11 제 2항에 있어서, 상기 복합막과 상기 접착층 사이에는 흡습층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 흡습층은 칼슘(Calcium), 실리카겔(Silica gel), 제오라이트(Zeolite) 및 알칼리(Alkali) 금속들 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 13 |
13 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시 베이스드 수지(epoxy based resin) 또는 아크릴 베이스드 수지(acrylate based resin)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 |
| 14 |
14 유기물 반도체 소자에 제조방법에 있어서,(a) 기판 상에 유기물 반도체 소자를 형성하는 단계;(b) 상기 유기물 반도체 소자의 전체 상부면에 접착층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 접착층의 전체 상부면에 유기물과 무기물을 포함하는 복합막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막의 제조방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 복합막은 필름 형태로 가공하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막의 제조방법 |
| 16 |
16 제 14항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 복합막의 형성 시, 판형상의 무기막 상에 고분자를 용융 접착하여 고분자막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막의 제조방법 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 복합막의 형성 시, 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 고분자막을 접착층에 의해 부착하여 적층시키는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막의 제조방법 |
| 18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 복합막과 상기 접착층 사이에 흡습층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막의 제조방법 |
| 19 |
18 제 17항에 있어서, 상기 복합막과 상기 접착층 사이에 흡습층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0584721-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20040315 출원 번호 : 1020040017235 공고 연월일 : 20060530 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060522 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20160524 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 526,500 원 | 2006년 05월 24일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2009년 05월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2010년 04월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2011년 05월 11일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 784,000 원 | 2012년 05월 09일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 328,000 원 | 2013년 04월 24일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 328,000 원 | 2014년 04월 30일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 570,000 원 | 2015년 04월 27일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2004.03.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0105213-33 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2005.09.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2005.10.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0068962-97 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2005.11.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0585722-77 |
| 5 | 명세서등보정서 | 2006.01.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0035509-46 |
| 6 | 의견서 | 2006.01.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0035513-29 |
| 7 | 등록결정서 | 2006.05.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0289175-71 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술번호 | KST2015031201 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국전자통신연구원 |
| 기술명 | 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 유기물 반도체 소자를 보호하기 위해 전체 상부면에 접착층 및 유기물과 무기물을 갖는 복합막을 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 형성함으로써, 유기물 반도체 소자의 활성층 열화 원인인 수분 및 산소를 차단할 뿐만 아니라 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다. 유기 박막 트랜지스터(OTFT), 엡캡슐레이션 박막, 고분자막, 무기막, 유기-무기 복합막 |
| 개발상태 | |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1440000490 |
|---|---|
| 세부과제번호 | iitaA1-03-0036-00 |
| 연구과제명 | 차세대디스플레이기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2003 |
| 연구기간 | 200302~200601 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1440001097 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2004-S-086 |
| 연구과제명 | 플렉서블디스플레이 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200302~200801 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020070051776] | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020070050008] | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020070046671] | 광 확산층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그제조방법 | 새창보기 |
| [1020060123976] | 전기영동방식의 디스플레이장치 및 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060123955] | 다층 구조의 박막 트랜지스터 제조방법 및 상기 박막트랜지스터를 포함하는 능동 구동 표시 소자 | 새창보기 |
| [1020060123921] | 전기 유변 유체를 이용한 점자 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060123901] | 표면 처리된 층을 포함하는 유기 인버터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060123846] | 플렉시블 기판의 세정 방법 | 새창보기 |
| [1020060122268] | 플렉시블 디스플레이 장치의 플렉시블 기판 접합 방법 | 새창보기 |
| [1020060119863] | 자기 정렬된 유기물 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060113478] | ＩＰＴＶ 서비스 또는 디지털 방송 환경에서의 방송 채널전환 가속 시스템 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060113220] | 유기 전계 발광 소자의 전극 형성 방법 및 그를 이용하여제조된 유기 전계 발광 소자 | 새창보기 |
| [1020060107193] | 다층 구조의 애노드 및 상기 애노드를 포함하는 상향 발광유기 발광소자 | 새창보기 |
| [1020060096331] | 전기 영동 마이크로 캡슐 패터닝 방법 및 전기 영동형디스플레이 | 새창보기 |
| [1020060095465] | 안경형 경고 알림 장치 | 새창보기 |
| [1020060094249] | 마이크로 캡슐 패터닝 방법 | 새창보기 |
| [1020060094183] | 상황-인식 서비스 제공 시스템 및 방법 | 새창보기 |
| [1020060094046] | 전도성 고분자 조성물, 이로부터 제조된 전도성 고분자 박막 및 이를 이용한 유기 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020060087258] | 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060086033] | 휴대 가능한 전자장치용 입출력 확장 기기 | 새창보기 |
| [1020060082746] | 플렉시블 기판의 적층 방법 | 새창보기 |
| [1020060079026] | 인터넷 기반의 중첩된 이동망에서의 패킷 전달 경로 단축방법 및 장치 | 새창보기 |
| [1020060078900] | 홈네트워크에서 센서를 이용한 지능형 영상통화 서비스제공 방법 | 새창보기 |
| [1020060074179] | 피드백 필터를 선택적으로 이용하는 결정 궤환 등화 장치및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060074166] | 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치 및 측정 방법 | 새창보기 |
| [1020060070603] | 고효율 유기전기발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060062870] | 유연한 기판에서의 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060059134] | ＺｎＯ 박막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060057815] | 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스 | 새창보기 |
| [1020060044065] | 백색 유기 전계 발광 소자 | 새창보기 |
| [1020060043744] | 동적 전압 스케일링을 적용한 고효율 프로세서 | 새창보기 |
| [1020060041797] | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060032630] | 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060019774] | 발광소자 및 그 제조 방법 및 다층구조의 유기발광소자보호막 | 새창보기 |
| [1020060015362] | 유기 발광 소자 및 그 제조방법과 화소 전극용 무기절연막 형성방법 | 새창보기 |
| [1020050119786] | 엔캡슐레이션 막의 선택적 형성 방법 및 이를 이용하는유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020050119217] | 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020050119011] | 평판 표시장치 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020050111800] | 접착 필름 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020050111420] | 자외선 조사에 의해 경화 가능한 봉지 조성물을 이용한유기 소자의 봉지 방법 | 새창보기 |
| [1020050096772] | 능동 구동 표시 장치 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020050094823] | 섬유강화 플라스틱 기판의 표면 처리 방법 | 새창보기 |
| [1020050094438] | 고전력 증폭기의 특성 모델링을 이용한 비선형 왜곡 보상장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020050085167] | 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020050079915] | 펜타센 전구체, 펜타센, 이들의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020050012453] | 유기물 소자의 보호막 형성방법 | 새창보기 |
| [1020040091257] | 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020040075938] | 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020040075937] | 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020040071871] | 디스플레이 판넬의 화상 및 수명 측정 장치 | 새창보기 |
| [1020040052214] | 백색 유기발광소자 | 새창보기 |
| [1020040050347] | ＤＳＰ 상에서의 ＦＩＲ 필터 구현 방법 및 그에 따른ＦＩＲ 필터 | 새창보기 |
| [1020040017235] | 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020030097061] | 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020030096220] | 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020030096042] | 게이트 절연막의 형성 방법 | 새창보기 |
| [1020030096039] | 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법 및 이를 이용한폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | 새창보기 |
| [1020030096032] | 종단 결합된 ＳＩＲ들을 이용한 마이크로스트립대역통과필터 | 새창보기 |
| [1020030093105] | 자외선 조사에 의해 경화 가능한 유기 소자용 봉지 조성물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020030091895] | 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020030089160] | 병렬 리드솔로몬 부호화 장치 | 새창보기 |
| [1020030080808] | 엔캡슐레이션된 유기 발광 디스플레이 판넬 및 그의 제작방법 | 새창보기 |
| [1020030059269] | 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법 | 새창보기 |
| [1020030058500] | 표면 발광형 유기 이엘 다이오드 디스플레이 장치 및 그제조 방법 | 새창보기 |
| [1020030014782] | 메쉬 게이트를 구비한 삼극형 전계 방출 소자 | 새창보기 |
| [1020030007992] | 펜타센 유도체 및 그 제조 방법과 펜타센 박막 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020020075406] | 테트라옥사스파이로 모노머 또는 디옥산 모노머의 중합생성물로 이루어지는 엔캡슐레이션 박막 재료 및 이를이용한 엔캡슐레이션 방법 | 새창보기 |
| [1020000070262] | 다기능 파형정형필터 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2014032117][한국전자통신연구원] | 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2016015721][한국전자통신연구원] | 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2015051641][한국전자통신연구원] | ＺｎＯ ＴＦＴ의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016006572][한국전자통신연구원] | 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법(A METHOD OF FABRICATING A TRANSITION METAL CHALCOGENIDE THIN FILM) | 새창보기 |
| [KST2014045104][한국전자통신연구원] | 멤리스터 장치 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015048897][한국전자통신연구원] | 박막트랜지스터를 이용한 ＣＭＯＳ소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016007471][한국전자통신연구원] | 디스플레이 장치(Display unit) | 새창보기 |
| [KST2015096632][한국전자통신연구원] | 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016014457][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor and method for fabricating the same) | 새창보기 |
| [KST2015084842][한국전자통신연구원] | ＺＴＯ 박막의 제조방법, 이를 적용한 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015064290][한국전자통신연구원] | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015063889][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015090700][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014045113][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015055563][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015065272][한국전자통신연구원] | 빛과 전압 스트레스에 강한 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014024125][한국전자통신연구원] | IMOD 디스플레이 구동을 위한 산화물 TFT 기술 | 새창보기 |
| [KST2014030138][한국전자통신연구원] | 산화물 TFT 기술 | 새창보기 |
| [KST2014032291][한국전자통신연구원] | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015090751][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015087698][한국전자통신연구원] | ＺｎＯ 박막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015067634][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2016016860][한국전자통신연구원] | 산화물 반도체 소자(OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE) | 새창보기 |
| [KST2015090785][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015087931][한국전자통신연구원] | 건식 식각 공정을 이용한 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015083103][한국전자통신연구원] | 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015070596][한국전자통신연구원] | 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014045205][한국전자통신연구원] | 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015069848][한국전자통신연구원] | 산화물 반도체막의 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2014045267][한국전자통신연구원] | 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|