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개별 반도체 소자를 분리하는 방법

  • 기술번호 : KST2015035409
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭(ICP RIE)을 사용하는 기판의 박막화 및 절단에 관한 것이다. 절단할 때, 스크라이브 라인을 뚜렷하게 하는 경질 포토레지스트 패턴 및 금속 마스크 패턴이 리소그래피 기술에 의해 사파이어 기판 또는 반도체 에피택시얼 층에 형성되는 것이 유리하다. 그런 후에, 에칭 채널을 형성하기 위해 스크라이브 라인을 따라 기판이 에칭된다. BCl3 및/또는 BCl3/Cl 2로 이루어진 에칭 가스가 사용된다(선택적으로, Ar이 첨가될 수 있다). 그런 후에,응력 라인이 에칭 채널을 따라 기판을 통해 생성된다. 그런 후에, 기판은 응력 라인을 따라 절단된다. 박막화할 때, 기판의 표면은 BCl3 및/또는 BCl3/Cl2 가스, 가능하면 약간의 Ar을 사용하여 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭(ICP RIE)된다. ICP RIE는 사파이어 및 다른 경질 기판을 작업할 때 특히 유리하다. 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭(ICP RIE)
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020047016176 (2004.10.09)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0908053-0000 (2009.07.09)
공개번호/일자 10-2005-0026380 (2005.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20090715) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/US2003/009503 (2003.03.31)
국제공개번호/일자 WO2003088319 (2003.10.23)
우선권정보 미국  |   10/118,318   |   2002.04.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울 송파구
2 유명철 대한민국 미국 캘리포니아 ****
3 어바넥 울프럼 미국 미국 캘리포니아 ***
4 성윤준 대한민국 서울 관악구
5 정창현 대한민국 부산 금정구
6 김경남 대한민국 대전 서구
7 김동우 대한민국 충북 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act		 2004.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0458943-23
2 보정요구서
Request for Amendment		 2004.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0072191-46
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0539998-56
4 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2004.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-5195649-07
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0599606-70
6 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 2004.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0088628-15
7 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0033063-04
8 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-5007732-14
9 수수료등의 반환안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.		 2005.01.27 수리 (Accepted) 1-5-2005-0008315-11
10 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5128488-27
11 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763527-99
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0563570-98
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0897306-04
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0897304-13
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0224266-40
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0456471-87
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0456472-22
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
19 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0547488-11
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0896805-31
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0896807-22
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
23 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0178427-15
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 개별 소자 영역으로 구획된 반도체층이 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 얇게 하는 단계; 상기 개별 반도체 소자가 형성된 기판의 반대면 상에 상기 개별 소자의 구분 영역 상에 노출 영역을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 이용하여 유도 결합 플라스마 반응성 이온 에칭(ICP RIE)을 사용하여 상기 개별 반도체 소자가 형성된 기판의 반대면 상에 트렌치 및 기판의 균열의 개시를 돕는 노치를 형성하고 기판을 연마하는 단계; 및 상기 트렌치가 형성된 기판을 상기 트렌치가 형성된 영역을 통해 분리함으로써 개별 반도체 소자로 분리하는 단계를 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 ICP RIE가 BCl3를 함유하는 반응 가스를 사용하여 수행되는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 반응 가스가 Cl2를 더 함유하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 반응 가스가 Ar을 더 함유하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
5 5
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6 6
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계가 금속층을 형성하는 것을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 금속층이 Cr 또는 Mo을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계가 포토레지스트층을 형성하는 것을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계가 GaN 반도체층을 가지는 사파이어 기판을 준비하는 것을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계가 SiC 함유 기판을 준비하는 것을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 개별 반도체 소자로 분리하는 단계는, 기판을 압박하는 단계를 더 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 기판을 압박하는 단계는, 기판을 롤러로 롤링하는 것을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 기판을 압박하는 단계는, 상기 트렌치의 나이프 에지를 가하는 것을 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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20 20
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21 21
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22 22
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계가 사파이어, SiC, SiGaAs, InP, ZnSe, ZnO 및 GaP로 이루어지는 그룹으로부터의 선택된 어느 하나의 기판을 준비하는 단계를 포함하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
23 23
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24 24
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25 25
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26 26
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계가 12㎛두께보다 큰 마스크 패턴을 형성하는 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
27 27
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28 28
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29 29
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30 30
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31 31
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32 32
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33 33
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34 34
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35 35
제 1 항에 있어서, 상기 개별 반도체 소자가 발광 다이오드인 개별 반도체 소자를 분리하는 방법
36 36
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37 37
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38 38
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39 39
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40 40
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41 41
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42 42
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43 43
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44 44
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45 45
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46 46
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47 47
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01502283 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01502283 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP04662717 JP 일본 FAMILY
4 JP17522874 JP 일본 FAMILY
5 US06818532 US 미국 FAMILY
6 US07012012 US 미국 FAMILY
7 US20030190770 US 미국 FAMILY
8 US20050026396 US 미국 FAMILY
9 WO2003088319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
10 WO2003088319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AT511219 AT 오스트리아 DOCDBFAMILY
2 AU2003230752 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU2003230752 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU2003230752 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 AU2003230752 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
6 EP1502283 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 EP1502283 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 EP1502283 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 JP2005522874 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 JP2005522874 JP 일본 DOCDBFAMILY
11 JP2005522874 JP 일본 DOCDBFAMILY
12 JP4662717 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 US2003190770 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US2005026396 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US6818532 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US7012012 US 미국 DOCDBFAMILY
17 WO03088319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
18 WO03088319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
19 WO03088319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
20 WO03088319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.