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관통형전극의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014010220
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼 등에 관통형 전극을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그 도금공정이 매우 짧은 시간 내에 진행될 수 있을 뿐만 아니라 기공율이 최소화된 관통형전극의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 관통형전극 형성방법은, 기판에 관통공을 형성시키는 관통공 형성단계; 상기 관통공의 내벽면에 원주방향으로 도전체재질의 측벽시드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일면에 상기 관통공의 일단을 폐쇄하는 마감층을 형성하는 마감층 형성단계; 및 상기 측벽시드층으로부터 내경방향으로 도전체를 도금하여 성장시킴으로써 관통형 전극을 형성하는 관통형전극 형성단계를 포함한다. 기판, 배선, 접속, 관통형전극, 기공율, 시드층
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01)
CPC H01L 21/76897(2013.01) H01L 21/76897(2013.01) H01L 21/76897(2013.01)
출원번호/일자 1020070101019 (2007.10.08)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0916771-0000 (2009.09.03)
공개번호/일자 10-2009-0035963 (2009.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20090914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기 수원시 권선구
2 김장현 대한민국 경기 수원시 권선구
3 정근희 대한민국 서울 금천구
4 장주희 대한민국 부산 남구
5 이용호 대한민국 대구 달서구
6 김태성 대한민국 경기 의왕시
7 강치구 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0721070-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0075306-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0062228-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0218443-27
6 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0352489-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
기판에 관통공을 형성시키는 관통공 형성단계; 상기 관통공의 내벽면에 원주방향으로 도전체재질의 측벽시드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일면에 상기 관통공의 일단을 폐쇄하는 마감층을 형성하는 마감층 형성단계; 및 상기 측벽시드층으로부터 내경방향으로 도전체를 도금하여 성장시킴으로써 관통형 전극을 형성하는 관통형전극 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 측벽시드층 형성단계 및 상기 마감층 형성단계 사이에는 상기 기판의 일면에 일정한 두께로 도전체재질의 하부시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 관통공이 식각공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 측벽시드층이 무전해 도금공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 관통형전극 형성단계는 전해도금 공정에 의해 관통형전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 측벽시드층은 Cu, Ni 중에서 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 측벽시드층은 표면거칠기를 가지고 형성되는 것을 특징으로 하는 관통형전극 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.