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나노결정 전도성 탄소층을 게이트 전극으로 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하여 이루어진 유기 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015144295
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터 소자의 게이트 전극으로서 나노 결정화된 전도성 탄소층을 사용한 것을 특징으로 한다.이를 위하여 본 발명은 기판, 게이트 전극, 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극을 구비하며 상기 게이트 전극이 나노 결정 탄소 층으로 이루어지는 유기 박막 트랜지스터; 플렉서블 기판 위에 게이트 전극으로서 나노 결정 탄소 층을 형성하고, 유기 절연층과 유기 활성층 및 소스/드레인 전극을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법을 제공하여, 유기 박막 트랜지스터(OTFT)의 제조 공정 개선 및 소자의 특성 향상과 제품의 개선을 이룰 수 있게 한다.유기 박막 트랜지스터, 나노 결정 탄소 층, 게이트 전극
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2011.01)
CPC H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01)
출원번호/일자 1020070089029 (2007.09.03)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0878872-0000 (2009.01.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.03)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기 화성시
2 박용섭 대한민국 경기 수원시 장안구
3 최원석 대한민국 서울 노원구
4 이내응 대한민국 경기 과천시
5 설영국 대한민국 경북 경주시
6 노화영 대한민국 부산 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0640351-99
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0661319-74
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0039796-95
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028280-44
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0365615-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0635873-26
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0635880-46
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0651764-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 게이트 전극, 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극을 구비하여 이루어지는 유기 박막 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 전극이 나노 결정 탄소 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서,상기 기판은 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판은 규소, 유리, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이드(PEN), 폴리에테르 설폰(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리 카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리노보넨(PNB) 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제 1항에 있어서, 상기 절연층은 폴리비닐페놀, 폴리비닐알콜 중의 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
제 1항에 있어서, 상기 활성층은 펜타센, P3HT 중의 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
기판, 게이트 전극, 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극을 구비한 유기박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,플렉서블 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 게이트 전극으로서 나노 결정 탄소 층을 증착하는 단계;상기 게이트 전극이 증착된 기판 위에 유기 절연층을 형성하는 단계;상기 유기 절연층 위에 유기 활성층을 형성하는 단계;상기 유기 활성층 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 나노 결정 탄소 층의 증착은 비대칭 마그네트론 스퍼터링 방식으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이드(PEN), 폴리에테르 설폰(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리 카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리노보넨(PNB) 중의 어느 하나의 재질로 이루어진 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 유기 절연층은 폴리비닐페놀, 폴리비닐알콜 중의 어느 하나에 의해 형성된 절연층인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
12 12
제 8항에 있어서, 상기 유기 활성층은 펜타센, P3HT 중의 어느 하나에 의해 형성된 활성층인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
13 13
나노 결정 탄소 박막을 게이트 전극으로 구비한 유기 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 유기 반도체 소자
14 14
나노 결정 탄소 층을 게이트 전극으로 구비한 유기 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 플렉서블 디스플레이 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07816675 US 미국 FAMILY
2 US20090057655 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009057655 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7816675 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.