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ＺｎＯ ＴＦＴ의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015051641
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO TFT의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 ZnO TFT의 제조방법은 최적의 공정 조건하에서 아연 전구체와 산소 전구체를 이용하여 원자층 증착법을 통해 이상적인 조성의 ZnO 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며, 또한 원자층 증착법을 이용하여 플라즈마 발생을 포함하는 공정을 사용하지 않는 공정으로 일차 절연막을 형성함에 따라 소자의 성능, 특히 이동도와 신뢰성을 개선시킬 수 있다. 산화아연, 원자층 증착법, 반도체막, 일차 절연막
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080024208 (2008.03.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0996644-0000 (2010.11.19)
공개번호/일자 10-2009-0099140 (2009.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20101125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
2 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
3 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
4 양신혁 대한민국 경기 용인시 수지구
5 이정익 대한민국 경기 성남시 분당구
6 조두희 대한민국 대전광역시 유성구
7 신재헌 대한민국 대전광역시 서구
8 유민기 대한민국 서울특별시 노원구
9 윤성민 대한민국 대전 서구
10 정우석 대한민국 대전광역시 유성구
11 권오상 대한민국 대전 유성구
12 박은숙 대한민국 대전광역시 중구
13 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0189899-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065333-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0081794-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0258525-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0258560-12
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0377691-33
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.09.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0039738-01
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0523952-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 상에 150 내지 250℃의 온도에서 아연 전구체와 산소 플라즈마 또는 250 내지 350℃의 온도에서 아연 전구체와 오존을 이용하여 원자층 증착법을 통해 ZnO 반도체막을 형성하는 단계; 상기 ZnO 반도체막 상부에 250℃ 이하의 온도에서 산소 전구체로써 물을 이용하여 원자층 증착법을 통해 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 ZnO TFT의 제조방법
3 3
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부에 350℃ 이하의 온도에서 산소 전구체로써 물을 이용하여 원자층 증착법을 통해 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상부에 150 내지 250℃의 온도에서 아연 전구체와 산소 플라즈마 또는 250 내지 350℃ 의 온도에서 아연 전구체와 오존을 이용하여 원자층 증착법을 통해 ZnO 반도체막을 형성하는 단계를 포함하는 ZnO TFT의 제조방법
4 4
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 ZnO 반도체막의 형성 단계는 a) 150 내지 250℃의 온도의 챔버 내에 기판을 배치하는 단계; b) 상기 챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 상기 기판 상에 상기 아연 전구체를 흡착시키는 단계; c) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계; d) 상기 기판 상에 형성된 상기 아연 전구체와 반응하도록 상기 챔버 내에 산소 플라즈마를 주입하여 ZnO 반도체막을 형성하는 단계; e) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체를 제거하는 단계; 및 f) 상기 b) 내지 e) 단계를 반복하여 상기 ZnO 반도체막의 두께를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO TFT 제조방법
5 5
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 ZnO 반도체막의 형성 단계는 a) 250 내지 350℃의 온도의 챔버 내에 기판을 배치하는 단계; b) 상기 챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 상기 기판 상에 상기 아연 전구체를 흡착시키는 단계; c) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계; d) 상기 기판 상에 형성된 상기 아연 전구체와 반응하도록 상기 챔버 내에 오존을 주입하여 ZnO 반도체막을 형성하는 단계; e) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체를 제거하는 단계; 및 f) 상기 b) 내지 e) 단계를 반복하여 상기 ZnO 반도체막의 두께를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO TFT 제조방법
6 6
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 ZnO 반도체막은 5 내지 40㎚의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO TFT 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아연 전구체는 디에틸징크, 디메틸징크 및 이들의 조합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 ZnO TFT 제조방법
9 9
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 ZnO 반도체막의 형성시 산소 플라즈마의 발생을 위한 플라즈마 파워는 플라즈마 파워 밀도가 1 W/cm2 내지는 0
10 10
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 원자층 증착법은 트레블링 웨이브 리액터 원자층 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법 또는 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 ZnO TFT 제조방법
11 11
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 ZnO 반도체막 및 절연막 형성 후, 200 내지 250℃에서 1 내지 6 시간 동안 열처리하는 단계를 더 포함하는 ZnO TFT 제조방법
12 12
제 2항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 절연막 중에서 ZnO 반도체막과 계면을 형성하는 절연막의 소정 두께만 원자층 증착법으로 형성하고, 나머지는 원자층 증착법 이외의 방법으로 형성되는 ZnO TFT 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 투명전자 소자를 이용한 스마트 창