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박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015063889
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 제조방법은 소정의 곡률과 유연성을 가지는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 볼록면에 산화물 반도체로 활성층을 형성하는 단계; 상기 기판이 수평을 이루도록 기판의 곡률을 제거하여 상기 활성층에 압축 응력을 인가하는 단계; 및 상기 활성층 상에 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명은 전기적 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/78603(2013.01) H01L 29/78603(2013.01) H01L 29/78603(2013.01)
출원번호/일자 1020100130542 (2010.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0069131 (2012.06.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오힘찬 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0838115-56
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063367-92
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0784851-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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소정의 곡률과 유연성을 가지는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 볼록면에 산화물 반도체로 활성층을 형성하는 단계;상기 기판이 수평을 이루도록 기판의 곡률을 제거하여 상기 활성층에 압축 응력을 인가하는 단계; 및상기 활성층 상에 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 참여 정보통신산업원천기술개발사업 고품위 Plastic AMOLED 원천기술 개발