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박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015067634
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극에 인접하여 배치된 금속-보론(Boron) 산화물을 포함하는 채널층, 게이트 전극과 채널층 사이의 게이트 절연막, 및 채널층과 결합하는 소스/드레인(source/drain) 영역들을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020120027365 (2012.03.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1978835-0000 (2019.05.09)
공개번호/일자 10-2013-0105165 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20190515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전 유성구
2 신재헌 대한민국 대전 유성구
3 정승묵 대한민국 경기 수원시 영통구
4 박장우 대한민국 대전 유성구
5 김상희 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0215995-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5204781-41
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0432400-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-0033155-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2016-5186477-02
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0256421-80
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0256422-25
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0025980-82
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0455992-76
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0876706-07
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0980934-62
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0980933-16
15 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0101824-02
16 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2019.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0442189-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 절연막을 사이에 두고 서로 이격되는 게이트 전극 및 채널층; 및상기 채널층과 결합하는 소스/드레인 영역들을 포함하되,상기 채널층은 금속-보론 산화물 및 금속 산화물을 포함하고,상기 금속-보론 산화물 및 상기 금속 산화물은 서로 다른 금속 원소를 포함하는 박막 트랜지스터
2 2
청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물은 ZnO, In2O3-ZnO(IZO), ZnO- SnO2(ZTO), In2O3- SnO2(ITO), In2O3- Ga2O3- ZnO(IGZO), Zn- In2O3- SnO2(ZITO), In2O3- Ga2O3(IGO), SnO2, In2O3 중 선택된 어느 하나인 박막 트랜지스터
3 3
청구항 2에 있어서,상기 채널층 내 상기 금속 산화물의 농도는 40 중량%(wt%) 내지 99 중량%(wt%)인 박막 트랜지스터
4 4
청구항 1에 있어서,상기 금속-보론(Boron) 산화물은 TiOx-Boron Oxide(TiBO), Ta2O3-Boron Oxide(TaBO), HfOx- Boron Oxide(HfBO), CeOx- Boron Oxide(CeBO), Zr2O3-Boron Oxide(ZrBO), SiOx-Boron Oxide(SiBO), ViOx-Boron Oxide(VBO), Nb2O5-Boron Oxide(NbBO), MoOx-Boron Oxide(MoBO), SrOx-Boron Oxide(SrBO), BaOx-Boron Oxide(BaBO), AlOx-Boron Oxide(AlBO), CrOx-Boron Oxide(CrBO), WOx-Boron Oxide(WBO) 중에서 선택된 어느 하나인 박막 트랜지스터
5 5
청구항 4에 있어서,상기 금속-보론 산화물 내 금속 산화물과 보론의 원자 퍼센트의 비율은 10:1 내지 1:10인 박막 트랜지스터
6 6
청구항 4에 있어서,상기 채널층 내 상기 금속-보론 산화물의 농도는 0
7 7
청구항 1에 있어서,상기 채널층과 상기 게이트 절연막 사이의 채널 보호층을 더 포함하되,상기 채널 보호층은 절연물질을 포함하는 박막 트랜지스터
8 8
청구항 1에 있어서,상기 채널층을 사이에 두고 상기 게이트 절연막으로부터 이격되는 채널 보호층을 더 포함하되,상기 채널 보호층은 절연물질을 포함하는 박막 트랜지스터
9 9
청구항 1에 있어서,기판을 더 포함하되,상기 게이트 전극 및 상기 채널층을 상기 기판 상에 수직적으로 서로 중첩하도록 배치되고,상기 소스/드레인 영역들은 상기 채널층을 사이에 두고 수평적으로 서로 이격되고,상기 채널층은 상기 소스/드레인 영역들의 측벽들을 덮고, 상기 소스/드레인 영역들의 상면들 상으로 연장되는 박막 트랜지스터
10 10
청구항 1에 있어서,기판을 더 포함하되,상기 게이트 전극 및 상기 채널층을 상기 기판 상에 수직적으로 서로 중첩하도록 배치되고,상기 소스/드레인 영역들은 상기 채널층을 사이에 두고 수평적으로 서로 이격되고,상기 소스/드레인 영역들의 각각은 상기 채널층의 측벽을 덮고 상기 채널층의 상면 상으로 연장되는 박막 트랜지스터
11 11
기판 상에 채널층을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 채널층과 결합하는 소스/드레인 영역들을 형성하는 것;상기 채널층 상에 게이트 절연막을 형성하는 것; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 채널층을 형성하는 것은: 금속-보론 산화물의 분말 및 금속 산화물 분말을 혼합하고 산소 분위기에서 소결하여 산화물 반도체 타겟을 제조하는 것; 및 상기 산화물 반도체 타겟을 이용한 스퍼터링(Sputtering), IPVD(Ionized physical vapor deposition) 또는 PLD(Pulsed laser deposition) 공정을 수행하여, 상기 채널층을 형성하는 것을 포함하고,상기 금속-보론 산화물 및 상기 금속 산화물은 서로 다른 금속 원소를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.