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버퍼막이 형성된 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체막 상에 제1 식각 정지막을 형성하는 단계;상기 제1 식각 정지막 상에 원자층 증착법을 통해 제2 식각 정지막을 형성하는 단계;상기 제1 식각 정지막 및 상기 제2 식각 정지막을 패터닝하거나, 상기 제1 식각 정지막 및 상기 제2 식각 정지막에 상기 산화물 반도체막의 일부를 노출시키는 컨택용 홀을 형성하는 단계;패터닝된 제1 식각 정지막과 제2 식각 정지막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 식각 정지막을 형성하는 단계에서,상기 제2 식각 정지막은 트레블링 웨이브 리액터형 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 어느 하나의 원자층 증착법을 이용한 표면화학반응을 통해 박막 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 식각 정지막은 AlOx, HfOx, AlON, TiO2, TaOx, SiON, ZrO2, SiOx, SiON 및 Y2O3 중 적어도 하나를 포함하는 단일막 또는 다층막인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 패시베이션막은 유기물막, SiOx, SiNx, 또는 원자층 증착법으로 증착한 알루미나 중 어느 하나를 포함하거나, 이들의 다층구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 Cu 기반의 저저항 금속배선인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체막은 IGZO, GSZO, ZnInSnO, InZnSnAlO 및 ZnSnO 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체의 단일막 또는 다층막인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 산화물 박막 트랜지스터
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버퍼막이 형성된 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체막 양측에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 기판 전면에 원자층 증착법을 통해 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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버퍼막이 형성된 기판 상에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체막 양측에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 기판 전면에 원자층 증착법을 통해 제1 패시베이션막을 형성하는 단계;상기 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 패시베이션막 상에 제2 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 패시베이션막을 형성하는 단계에서,상기 제1 패시베이션막은 트레블링 웨이브 리액터형 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 어느 하나의 원자층 증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 Cu 기반의 저저항 금속배선인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제8항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법으로 제작된 산화물 박막 트랜지스터
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버퍼막이 형성된 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 산화물 반도체막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체막이 형성된 기판 전면에 원자층 증착법을 통해 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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버퍼막이 형성된 기판 상에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 산화물 반도체막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체막이 형성된 기판 전면에 원자층 증착법을 통해 제1 패시베이션막을 형성하는 단계;상기 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 제2 패시베이션막 상에 제2 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 제1 패시베이션막을 형성하는 단계에서,상기 제1 패시베이션막은 트레블링 웨이브 리액터형 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 어느 하나의 원자층 증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법으로 제작된 산화물 박막 트랜지스터
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버퍼막이 형성된 기판에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 산화물 반도체막을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체막이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 원자층 증착법을 통해 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제17항의 방법으로 제작된 산화물 박막 트랜지스터
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