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모스인버터제조방법

  • 기술번호 : KST2015073508
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01)
출원번호/일자 1019870014925 (1987.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0039005-0000 (1991.01.15)
공개번호/일자 10-1989-0011113 (1989.08.12) 문서열기
공고번호/일자 1019900005787 (19900811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1987.12.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유중선 대한민국 충남대전시동구
2 강상원 대한민국 대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시중구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1987.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087569-57
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1987.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087568-12
3 특허출원서
Patent Application		 1987.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087567-66
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1988.02.08 수리 (Accepted) 1-1-1988-9000841-99
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1988.08.11 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087570-04
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1990.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051707-78
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1990.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087571-49
8 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1990.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051708-13
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087573-30
10 의견서
Written Opinion		 1990.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087572-95
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1990.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051709-69
12 등록사정서
Decision to grant		 1990.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051711-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

규소기판(27) 표면에 열산화막(10)과 질화규소막(9)을 형성하고 CVD(Chemical Vapor Deposition) 산화막을 증착한 후 마스크 작업과 RIE(Reactive Ion Etch) 방법에 의한 부식을 CVD 산화막섬(oxide island)(8)을 남긴 다음 다결정규소게이트(11)를 증착하고 RIE방법으로 부식하여 다결정규소 끼우기를 만들고 이것을 NMOSFET의 게이트 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 모스인버터 제조방법

2 2

PSG(Phospho-silica glass)를 증착하고 플로잉(flowing)시켜 다결정규소 게이트(15) 위의 PSG 두께를 원래의 두께보다 얇게 만든 다음, RIE 방법으로 PSG를 부식하여 다결정규소게이트(15),(15')를 노출시킨 다음 다결정 규소를 웨이퍼 전면에 증착하고 마스크 작업을 거쳐 다결정규소층(160을 형성하여 다결정 규소게이트(15),(15')와 금속배선(17),(33),(34)을 연결시켜 주는 것을 특징으로 하는 모스인버터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.