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4메가이상의DRAM용BSD셀

  • 기술번호 : KST2015073542
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/70 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 27/10829(2013.01)
출원번호/일자 1019880017982 (1988.12.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0052477-0000 (1992.06.24)
공개번호/일자 10-1990-0011029 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019920002351 (19920321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 경기도안양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 충남대전시서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104540-13
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104541-69
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104542-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1991.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057946-47
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104543-50
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104544-06
7 의견서
Written Opinion		 1991.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104545-41
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057947-93
9 등록사정서
Decision to grant		 1992.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057949-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

P형 실리콘 기판 상에 N+매몰층(1)과 N에피텍셜층(2)이 순차로 형성되어 있고, 셀 및 소자간을 절연시키기 위한 필드산화물층(13)과 워드라인(15) 및 비트라인(20)이 형성된 구조를 갖는 4메가 이상의 DRAM용 BSD셀에 있어서, 셀영역(B)의 가장자리 부분의 상기 N+매몰층(1)으로부터 상기 P형 실리콘 기판까지 제1 및 제2트렌치가 형성되고, 상기 제1 및 제2트렌치의 내부에 캐패시터용 산화막(9)이 형성되어 있고 P+폴리실리콘(8,8a)이 각각 재충진되어 있되, 상기 제1트렌치에 재충진된 상기 P+폴리실리콘(8,8a)은 상기 P형 실리콘 기판과 상기 P형 베이스영역(19)과 전기적으로 접속되도록 되어 있고, 상기 비트라인(20)의 접촉부(21)가 자기 정렬되도록 상기 워드라인(15)의 측면에 측벽산화막(17)이 형성된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 4메가 이상의 DRAM용 BSD셀

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.