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T형게이트형상을가진자기정합MESFET의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073547
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/78 (.)
CPC H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01)
출원번호/일자 1019880015986 (1988.12.01)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0047213-0000 (1991.12.26)
공개번호/일자 10-1990-0011038 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019910006702 (19910831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형무 대한민국 충남대전시서구
2 김동구 대한민국 충남대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1988.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092985-90
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092986-35
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092987-81
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1990.02.02 수리 (Accepted) 1-1-1990-9001122-17
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0092988-26
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0051460-20
7 등록사정서
Decision to grant		 1991.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0051462-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

PECVD 방법에 의한 실리콘(Si)박막과 PCVD 방법에 의한 질화규소(Si3N4)막을 이용한 이온 주입공정, 게이트 전극 형성을 위해 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 질화 규소막을 부식하여 게이트 전극 패턴을 형성하는 공정, 상기 질화 규소막에는 텅스텐이 증착되지 않도록 하고 노출된 실리콘박막 상에만 텅스텐을 선택적으로 증착시키기 위해 실리콘박막을 이용한 게이트 전극 텅스텐의 선택적 화학 증착 공정, 상기 텅스텐 게이트 전극이 "T"형으로 형성되도록 성장시키는 화학 증착 공정, 상기 T형 텅스텐 게이트를 이용하여 게이트 전극과 주입될 n+층의 간격을 1000 내지 2000Å으로 되도록 형성하는 n+층 이온 주입 공정, 상기 이온 주입 공정에 이용된 실리콘 박막과 질화 규소막을 이용한 n층과 n+층의 활성화 공정, 소자간을 분리하기 위하여 분리용 포토레지스트를 마스크로 하여 실리콘박막과 질화 규소막을 통해 B+ 또는 H+이온을 100 내지 200KeV 조건으로 이온 주입하는 공정, 소오스와 드레인을 형성하기 위해 포토레지스트를 마스크로 하여 실리콘박막과 질화 규소막을 부식하고, 저항금속(AuGe/Ni)을 증착한 후, 리프트 오프(lift-off)시킴으로써 소오스와 드레인 전극을 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 T형 게이트 형상을 가진 자기정합 MESFET의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 텅스텐의 선택적 화학 증착 공정은 기판온도를 350 내지 450℃로 하고, 반응압력을 0

3 3

제1항에 있어서, 이온 주입 공정을 위해 이용된 실리콘박막과 질화 규소막의 두께는 각각 100 내지 200Å 및 1000Å으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정합 MESFET의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, T형으로 성장시키는 화학 증착 공정은 기판온도를 350 내지 450℃로 하고, 반응압력을 0

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1 JP02192127 JP 일본 FAMILY
2 JP06020081 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1909260 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2192127 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6020081 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH02192127 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0620081 JP 일본 DOCDBFAMILY
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