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다층레지스터를이용한자기정합형갈륨비소전계효과트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073562
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01)
출원번호/일자 1019880011473 (1988.09.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0045606-0000 (1991.10.31)
공개번호/일자 10-1990-0005625 (1990.04.14) 문서열기
공고번호/일자 1019910005400 (19910729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.09.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심규환 대한민국 대전시서구
2 최영규 대한민국 대전시유성구
3 양전욱 대한민국 충남대전시동구
4 이진희 대한민국 충청남도대전시대덕구
5 강진영 대한민국 대전시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.09.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066403-96
2 특허출원서
Patent Application		 1988.09.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066402-40
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.09.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066404-31
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1989.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1988-0066405-87
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0037251-66
6 등록사정서
Decision to grant		 1991.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0037253-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소를 이용한 전계효과트랜지스터의 제조방법에 있어서, 반절연갈륨비소 웨이퍼(101)위에 다층포토레지스트를 입힌후 상층 포토레지스트(109)의 형상을 중간층 포토레지스트(107)로 축소전사시켜 산화막을 증착하고, 하층포토레지스트(105)로 게이트형상을 전사시키고 포토레지스트를 측면식각후 텅스텐실리사이드(113)를 증착하고, 이 텅스텐실리사이드(113)위에 티타늄을 증착한 후 이를 전극으로 금도금하고, 이어 T형 게이트(114)의 완성후 자기정합용 이온을 주입하며, 산화막을 이용하여 접합구멍을 만들고 금속증착후 연결금속선 형상을 완성함으로써 고속동작시 저잡음 특성을 개선시킨 것을 특징으로 하는 다층레지스트를 이용한 자기정합형 갈륨비소 전계효과트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 중간층포토레지스트(107)는 산소가스와 CF6를 혼합한 가스를 이용하여 측벽식각을 행하여, 0

3 3

제1항에 있어서, 하층 포토레지스트(105)는 산소가스에 C2ClF2를 넣은 혼합가스를 이용하여 식각한 것을 특징으로 하는 다층레지스트를 이용한 자기정합형 갈륨비소 전계효과트랜지스터의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, T형 게이트의 길이를 0

5 5

제4항에 있어서, 0

6 6

제1항에 있어서, 텅스텐실리사이드(113)는 갈륨비소의 보호를 위한 T형 게이트 하층에 1000Å 증착한 것을 특징으로 하는 다층레지스트를 이용한 자기정합형 갈륨비소 전계효과트랜지스터의 제조방법

7 7

제1항 또는 제4항에 있어서, T형 게이트는 측벽식각 기술 및 금도금으로 정확히 형성한 것을 특징으로 하는 다층레지스트를 이용한 자기정합형 갈륨비소 전계효과트랜지스터의 제조방법

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1 JP02082629 JP 일본 FAMILY
2 JP06082689 JP 일본 FAMILY
3 US04997778 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1945933 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2082629 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6082689 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH0282629 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0682689 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US4997778 US 미국 DOCDBFAMILY
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