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리세스게이트갈륨비소전계효과트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073686
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1019910022927 (1991.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0079466-0000 (1994.11.22)
공개번호/일자 10-1993-0015056 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019940007667 (19940822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철순 대한민국 대전직할시유성구
2 조낙희 대한민국 대전직할시대덕구
3 조경익 대한민국 대전직할시중구
4 이봉학 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125493-95
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125494-30
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125492-49
4 특허출원서
Patent Application		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125491-04
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0060364-49
6 등록사정서
Decision to grant		 1994.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0060365-95
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소기판(1)의 채널층 및 소오스/드레인 영역에 n형 불순물을 이온주입하는 제 1 공정과, 상기 갈륨비소기판(1)에 유전막(2)을 피복하고 고온에서 활성화 시키는 제 2 공정과, 상기 유전막(2)상에 감광막(3)을 도포하고 게이트의 패턴을 정의한 후 상기 유전막(2)을 식각하는 제 3 공정과, 게이트의 패턴이 정의된 영역의 상기 갈륨비소기판(1)에 리세스할 두께만큼 산하막(4)을 형성시키는 제 4 공정 및, 상기 산화막(4)을 제거한 후 게이트 금속(5)을 증착하고 오오믹 전극(6)을 형성하는 제 5 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조방법

2 2

제 1 항의 제 4 공정에 있어서, 상기 산화막(4)은 플라즈마 산화방법 혹은 플라즈마 양극산화 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조방법

3 3

제 1 항의 제 5 공정에 있어서, 상기 산화막(4)은 습식식각 방법 혹은 건식식각 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터인 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.