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반절연 갈륨비소 기판(1)위에 도핑되지 않은 갈륨비소 완충층(2), 2차윈 전자가스층(3), 도핑되지 않은 알류미늄 갈륨비소 완충층(4), 도핑된 n형 알류미늄 갈륨비소 소스층(5)을 각각 차례로 형성하고, 그 위에 갈륨비소 캡층(7)을 제거하는 게이트 리세스 공정시 식각정지층으로 사용하기 위해 상기 층들보다는 상대적으로 얇은 AlxGal-xAs의 식각장벽층(6)을 형성하고, 그 위에 갈륨비소 캡층(7)을 형성하여 구성되는 기판을 만드는 공정(가)과, 상기 공정(가)에 의해서 형성된 가판을 이용하여 상기 갈륨비소 캡층(7)위에 T형 포토레지스트 게이트 패턴(8)을 형성한 다음, 상기 갈륨비소 캡층(7)만을 선택적으로 식각하는 게이트 리세스 공정이 수행되는 공정(나)과, 상기 리세스 공정을 실시한 후, T형 게이트 금속(9)을 증착하고, 상기 T형 포토레지스트 게이트 패턴(8)을 리프트 오프에 의해서 제거하고, 제1ECR절연막(10)을 상기 T형 게이트 금속(9) 및 상기 갈륨비소 캡층(7)을 전면으로 증착하는 공정(다)과, 상기 제1ECR절연막(10)을 반응성 이온식각하여 상기 T형 게이트 금속(9)벽부분과 T형 게이트 금속(9) 아래 부분인 상기 갈륨비소 캡층(7)의 리세스 식각영역에 제2ECR절연막(11)을 남겨 놓은 공정(라)과, 상기 T형 게이트 금속(9)과 상기 제2ECR절연막(11)을 이용하여 소스와 드레인 오믹금속(12)의 접촉영역을 줄여서 자기정렬되게 하는 공정(마)을 포함하는 ECR절연막을 이용한 자기정렬 전자소자의 제작방법
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