규소기판(1) 위에 필드산화막(2)과 게이트(28) 및 게이트산화막(27)을 순차로 형성하여 모스트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 열산화에 의해 웨이퍼 표면에 소정의 두께로 규소산화막(29)을 형성하는 단계와, LPCVD에 의해 BSD(boro-silica-glass)를 형성하고 식각하여 상비 게이트(28)의 측면에 측벽산화막(30)을 형성하는 단계와, 상기 측벽산화막(3)을 이루는 상기 BSG에 함유된 붕소를 사이 규소기판(1)속으로 열확산시켜 p-영역(31)을 형성하는 단계와, 상기 규소산화막(29)을 습식식각한후 상기 LPCVD에 의해 30 내지 100nm의 두께로 PSG(phospho-silica-glass) (33)를 형성하는 단계와, 상기 PSG(33)에 함유된 인을 상기 규소기판(1)속으로 열확산시켜 n-영역(35)을 형성하는 단계와, 상기 PSG(33)에 함유된 인을 상기 규소기판(1)속으론 열확산시켜 n-영역(35)을 형성하는 단계와, 비소를 이온주입한후 열처리하여 엘디디(39)와 소오스(40) 및 드레인(41)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘디디 엔채널 모스트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 규소산화막(29)은 100Å 내지 200Å두께로 형성되고, 상기 PSG(33)는 30nm 내지 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 엘디디 엔채널 모스 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 측벽산화막(30)으로부터 상기 규소기판(1)내로 인을 확산시켜 상기 p-영역(31)을 형성하는 단계는 급속 열처리와 열확산중 어느하나에 의해 수행되고, 상기 급속열처리는 1000℃ 내지 1050℃의 온도에서 30초 내지 2분동안 수행되고, 상기 열확산은 900℃ 내지 950℃의 온도에서 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 엘디디 엔채널 모스 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 PSG(33)에 의해 상기 n-영역 (35)을 형성하는 단계는 급속열처리와 열확산중 어느하나에 의해 수행되고, 상기 급속열처리는 950℃ 내지 1050℃의 온도에서 10초 내지 60초 동안 수행되고, 상기 열확산은 850℃ 내지 900℃의 온도에서 10분 내지 30분동안 수행되는 것을 특징으로 하는 엘디디 엔채널 모스 트랜지스터의 제조방법

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 p-영역(31)은 0

제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 n-영역 (35)은 0

제1항에 있어서, 상기 BSG와 상기 PSG는 SiH4와 O2가스분위기에서 희석된 BH3가스를 운반가스에 혼합하여 300 내지 500℃에서 열분해하는 것에 의해 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 엘디디 엔채널 모스트랜지스터의 제조방법