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초고집적회로에 사용되는 모스전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 2기압 내지 100기압의 O2 가스 분위기 하에서 열전기로를 사용하여 산화막을 성장시키는 열산화 공정과, 1기압의 N2O 가스 분위기 하에서의 급속열처리 방법(Rapid Thermal Annealing)을 이용한 열처리 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리 공정이 2기압 내지 100기압의 N2O 가스 분위기 하에서의 열전기로를 이용한 것을 특징으로 하는 계이트 절연막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 열산화 공정이 급속열처리 방법을 이용한 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리 고정이 질소를 함유한 가스 대신에 불소(F), 탄소(C) 및 염소(Cl)중의 어느 하나가 포함되어 있고, 수소(H)가 포함되지 않는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
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초고집적회로에 사용되는 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 2기압 내지 100기압의 O2 및 N2O 가 혼합된 혼합가스 분위기 하에 열전기로를 사용하여 산화막을 성장시키는 열산화 공정과, 1기압의 N2 또는 O2 가스 분위기 하에서의 급속열처리 방법을 이용한 열처리 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 열처리 공정이 2기압 내지 100기압에서 열전기로를 사용하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 열처리 공정이 질소를 함유한 가스 대신에 불소(F), 탄소(C) 및 염소(C)중의 어느 하나가 포함되어 있고, 수소(H)가 포함되지 않는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
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