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박막트랜지스터및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015075321
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초 박막의 Mo - C로 된 압 저항체위에 압전막이 형성되고 이 압전막 위에 게이트전극이 형성되어 있는 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트전극에 인가되는 전압의 세기에 대응하여 발생하는 전기장에 의해 압전막에 발생하는 힘을 이용하여 압 저항체에 압력이 가해져 압 저항체의 저항이 변화되도록 함으로써 트랜지스터의 소오드단자로부터 게이트단자로 흐르는 전류량을 제어하도록 동작한다.본 발명의 트랜지스터는 종래의 트랜지스터의 제조방법에서와 채널, 소오스 및 드레인영역을 형성하기 위한 마스킹용 패턴 형성공정 및 불순물주입공정 등이 불필요하므로 제조공정이 간단하고 또한 채널에 해당하는 압 저항체를 평면상에 형성할 수 있으므로 3 차원 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 제조할 수 있으며 종래의 박막 트랜지스터를 대체할 수 있다.
Int. CL H01L 41/107 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950047863 (1995.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0176237-0000 (1998.11.12)
공개번호/일자 10-1997-0054493 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.08)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성재 대한민국 서울특별시서초구
2 박경완 대한민국 대전광역시유성구
3 신민철 대한민국 대전광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1995.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186915-73
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186914-27
3 특허출원서
Patent Application
1995.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186913-82
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186916-18
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0186917-64
6 등록사정서
Decision to grant
1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0469799-60
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판(10)의 소정영역에 형성되어 있는 Mo - C 의 압 저항체(12)와, 상기 압 저항체(12)의 중심영역 소정부분에 형성되어 있는 압전막(14)과, 상기 압전막(14)의 중심영역의 표면상에 소정의 폭으로 형성되어 있는 게이트전극(16)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 압 저항체(12)의 양단은 소오스단자(12a) 및 드레인단자(12b)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터

3 3

제1항에 있어서, 상기 압 저항체(12)는 0

4 4

제1항에 있어서, 상기 압 저항체(12)로서 형성된 Mo - C의 Mo - C의 몰비의 범위가 1 : 3으로부터 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터

5 5

제1항에 있어서, 상기 압전막(14)은 수정, LiNbO3, BaTiO3, PbTiO3 또는 ZnS, InSb으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

6 6

압전막(24)의 저면에 매입되어 소정의 폭과 두께로 형성되어 있는 Mo - C의 압 저항체(22)와, 상기 압전막(24)의 상부 표면중 압 저항체(22)의 양단에 수직방향으로 대응하는 위치에 각각 제1게이트전극(26a)과 제2게이트 전극(26b)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터

7 7

제6항에 있어서, 상기 압 저항체(22)의 양단은 소오스단자(26a) 및 드레인단자(26b)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터

8 8

제6항에 있어서, 상기 압 저항체(22)는 0

9 9

제6항에 있어서, 상기 압 저항체(22)로서 형성된 Mo - C의 Mo 대 C의 몰비의 비율이 1 : 3에서 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터

10 10

기판(10)상에 Mo - C 타아켓을 이용하여 Mo - C의 초 박막을 스퍼터링법으로 증착하고 패터닝하여 소정의 폭을 갖는 압 저항체(12)를 형성하는 공정과, 기판의 전면에 압전특성을 갖는 압전물질과 도전성 금속을 차례로 증착하는 공정과, 상기 압전물질과 도전성 금속을 차례로 식각하여 상기 압 저항체(12)의 중심 영역에 소정의 폭을 갖는 압전막(14)과 게이트 전극(16)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

11 11

제10항에 있어서, 상기 압 저항체(12)는 반응로내에 Mo - C 타아켓을 장착하고 반응개스로서 아세틸렌 또는 메탄개스를 주입하고 500℃ 이하의 온도를 가하여 스퍼터링 시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

12 12

제10항에 있어서, 상기 압 저항체(12)로 형성되는 Mo과 C의 몰비의 범위는 1 : 3에서 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

13 13

제10항에 있어서, 상기 압전막(14)은 수정, LiNbO3, BaTiO3, PbTiO3 또는 ZnS, InSb으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

14 14

기판(20) 상에 Mo - C 타아켓을 이용하여 Mo - C의 초 박막을 스퍼터링법으로 증착하고 패터닝하여 소정의 폭을 갖는 압 저항체(22)를 형성하는 공정과, 상기 기판(20) 및 압 저항체(22)의 전면에 압전 특성을 갖는 압전물질을 증착하고 사진식각법으로 상기 압 저항체(22)의 전면을 덮도록 소정의 폭으로 패터닝하는 공정과, 상기 기판(20) 및 압전막(24)의 전면에 도전성금속을 증착하고 사진식각법으로 패터닝하여 상기 압 저항체(22)의 양단에 수직방향으로 대응하는 위치에 각각 소정의 폭을 갖는 제1게이트 전극(26a)과 제2게이트 전극(26b)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

15 15

제14항에 있어서, 상기 압 저항체(22)는 반응로내에 Mo - C 타아켓을 장착하고 반응개스로서 아세틸렌 또는 메탄개스를 주입하고 500℃ 이하의 온도를 가하여 스퍼터링시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

16 16

제14항에 있어서, 상기 압 저항체(22)로 형성되는 Mo과 C의 몰비의 범위는 1 : 3부터 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

17 17

제14항에 있어서, 상기 압전막(24)은 수정, LiNbO3, BaTiO3, PbiTO3 또는 ZnS, InSb으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03040352 JP 일본 FAMILY
2 JP09181367 JP 일본 FAMILY
3 US05872372 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP3040352 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP9181367 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH09181367 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5872372 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.