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기판(10)의 소정영역에 형성되어 있는 Mo - C 의 압 저항체(12)와, 상기 압 저항체(12)의 중심영역 소정부분에 형성되어 있는 압전막(14)과, 상기 압전막(14)의 중심영역의 표면상에 소정의 폭으로 형성되어 있는 게이트전극(16)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 압 저항체(12)의 양단은 소오스단자(12a) 및 드레인단자(12b)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 압 저항체(12)는 0
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제1항에 있어서, 상기 압 저항체(12)로서 형성된 Mo - C의 Mo - C의 몰비의 범위가 1 : 3으로부터 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 압전막(14)은 수정, LiNbO3, BaTiO3, PbTiO3 또는 ZnS, InSb으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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6
압전막(24)의 저면에 매입되어 소정의 폭과 두께로 형성되어 있는 Mo - C의 압 저항체(22)와, 상기 압전막(24)의 상부 표면중 압 저항체(22)의 양단에 수직방향으로 대응하는 위치에 각각 제1게이트전극(26a)과 제2게이트 전극(26b)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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7
제6항에 있어서, 상기 압 저항체(22)의 양단은 소오스단자(26a) 및 드레인단자(26b)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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8
제6항에 있어서, 상기 압 저항체(22)는 0
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제6항에 있어서, 상기 압 저항체(22)로서 형성된 Mo - C의 Mo 대 C의 몰비의 비율이 1 : 3에서 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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10
기판(10)상에 Mo - C 타아켓을 이용하여 Mo - C의 초 박막을 스퍼터링법으로 증착하고 패터닝하여 소정의 폭을 갖는 압 저항체(12)를 형성하는 공정과, 기판의 전면에 압전특성을 갖는 압전물질과 도전성 금속을 차례로 증착하는 공정과, 상기 압전물질과 도전성 금속을 차례로 식각하여 상기 압 저항체(12)의 중심 영역에 소정의 폭을 갖는 압전막(14)과 게이트 전극(16)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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11
제10항에 있어서, 상기 압 저항체(12)는 반응로내에 Mo - C 타아켓을 장착하고 반응개스로서 아세틸렌 또는 메탄개스를 주입하고 500℃ 이하의 온도를 가하여 스퍼터링 시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 압 저항체(12)로 형성되는 Mo과 C의 몰비의 범위는 1 : 3에서 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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13
제10항에 있어서, 상기 압전막(14)은 수정, LiNbO3, BaTiO3, PbTiO3 또는 ZnS, InSb으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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기판(20) 상에 Mo - C 타아켓을 이용하여 Mo - C의 초 박막을 스퍼터링법으로 증착하고 패터닝하여 소정의 폭을 갖는 압 저항체(22)를 형성하는 공정과, 상기 기판(20) 및 압 저항체(22)의 전면에 압전 특성을 갖는 압전물질을 증착하고 사진식각법으로 상기 압 저항체(22)의 전면을 덮도록 소정의 폭으로 패터닝하는 공정과, 상기 기판(20) 및 압전막(24)의 전면에 도전성금속을 증착하고 사진식각법으로 패터닝하여 상기 압 저항체(22)의 양단에 수직방향으로 대응하는 위치에 각각 소정의 폭을 갖는 제1게이트 전극(26a)과 제2게이트 전극(26b)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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15
제14항에 있어서, 상기 압 저항체(22)는 반응로내에 Mo - C 타아켓을 장착하고 반응개스로서 아세틸렌 또는 메탄개스를 주입하고 500℃ 이하의 온도를 가하여 스퍼터링시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 압 저항체(22)로 형성되는 Mo과 C의 몰비의 범위는 1 : 3부터 3 : 1까지인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 압전막(24)은 수정, LiNbO3, BaTiO3, PbiTO3 또는 ZnS, InSb으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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