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티형 게이트의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015075750
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 고품위 트랜지스터를 제작하기 위해 기판 위의 제1절연막에 포토레지스트막 패턴을 형성하고 이 패턴 위에 제2절연막을 증착하고 방향성 식각에 의해 하층의 제1절연막까지 식각하여 포토레지스트막에 절연막의 측벽을 형성한 후 제2절연막을 선택적으로 식각하고 노출된 게이트 영역을 리세스 식각한 다음 게이트 급속을 증착, 리프트-오프하여 T-형의 금속 게이트를 형성하므로서, 미세한 게이트의 형성이 가능할 뿐 아니라 공정이 단순한 T-형 게이트 형성 방법이 제시된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1019960061517 (1996.12.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0043594 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양전욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 오웅기 대한민국 대전광역시 유성구
3 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
4 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205726-76
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205727-11
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205725-20
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205728-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0327678-50
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0136240-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상부에 채널층 및 제1절연막을 순차적으로 적층하는 단계와,

상기 제1절연막 상부에 포토레지스트막이 패턴을 형성하는 단계와,

상기 포토레지스트막에 절연막의 측벽이 형성되도록 제2절연막을 증착하는 단계와,

상기 제2절연막 및 제1절연막을 방향성있게 식각하여 포토레지스트막의 측면에 제2절연막을 잔류시키고 채널층을 노출시키는 단계와,

상기 제2절연막을 제거하는 단계와,

상기 노출된 채널 층을 리세스 식각하는 단계와,

전체 구조 상부에 금속을 증착하는 단계와,

리프트-오프 공정을 실시하여 T-형 게이트 금속을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 티(T)형 게이트 형성 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 리프트-오프 공정은 제1절연막을 증착하고 포토레지스트막의 패턴을 형성하기 전에 제1절연막보다 식각율이 빠른 박막을 증착하므로써 금속의 증착 후 용이하게 실시되도록 하는 것을 특징으로 하는 티(T)형 게이트 형성 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 게이트 크기는 포토레지스트막의 측면에 증착되는 제2절연막의 두께를 변화시키므로써 임의로 정의하는 것을 특징으로 하는 티(T)형 게이트 형성 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 방향성 식각에 의한 제2 및 제1절연막의 식각은 약간의 제1절연막을 잔류시킨 다음 제2절연막을 식각 용액으로 제거하는 동안 식각되도록 하여 방향성 식각에 의한 채널의 손상을 줄이도록 하는 것을 특징으로 하는 티(T)형 게이트 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.